[发明专利]沉积反射膜生产工艺在审
| 申请号： | 201510202476.8 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104882493A | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 樊选东;郭建东;杨冬生;钱明星;钱小芳 | 申请（专利权）人： | 中建材浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;C23C16/02;C23C16/34 |
| 代理公司： | 苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266 | 代理人： | 李中华 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 反射 生产工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种沉积反射膜生产工艺，其特征在于，工艺步骤如下:
(1).将硅片插入到石墨舟中,同时将石墨舟送入加热炉内；
(2).对加热炉进行升温，并且在升温的过程中通入氨气加射频，进行预沉积工艺；
(3).通入氨气和硅烷，进行沉积工艺；
(4).将沉积后的硅片取出，完成整个生产工艺。
2.根据权利要求1所述的沉积反射膜生产工艺，其特征在于，所述步骤(2)中的炉温控制在450°±5°，射频功率为6280W。
3.根据权利要求1所述的沉积反射膜生产工艺，其特征在于，所述步骤(2)中升温时间为6分钟。
4.根据权利要求1所述的沉积反射膜生产工艺，其特征在于，所述步骤(2)中氨气通入时间为6分钟，。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
