[发明专利]一种OLED基板、其制造方法、面板及显示装置有效
| 申请号： | 201510115023.1 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104659074B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 焦志强;施槐庭 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 王惠 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 基板 制造 方法 面板 显示装置 | ||
1.一种OLED基板，包括位于第一基板上的OLED器件及封装层，所述封装层封装所述OLED器件，其特征在于，所述OLED基板还包括散热层，所述散热层设置在OLED器件上方；
所述封装层包括第一封装层和第二封装层，所述第一封装层完全覆盖OLED器件，所述散热层设置在第一封装层和第二封装层之间，所述第一封装层、所述散热层和所述第二封装层层叠设置，所述散热层完全覆盖所述第一封装层。
2.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述封装层还包括第三至第N封装层，所述第一封装层、所述第二封装层以及所述第三至第N封装层层叠设置，所述散热层还设置在所述第二至第N封装层中的任意两相邻层之间，所述N为大于2的整数。
3.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述散热层为绝缘体散热材料、半导体散热材料或金属材料。
4.根据权利要求3所述的OLED基板，其特征在于，所述绝缘体散热材料为铝的氮化物、氮化硼、聚晶氮化硼或三氧化二铝中的一种。
5.根据权利要求3所述的OLED基板，其特征在于，所述金属材料为铝、镁或铜中的一种。
6.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述散热层厚度在100微米以下。
7.根据权利要求6所述的OLED基板，其特征在于，所述散热层厚度为1微米-5微米。
8.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述封装层为薄膜封装层。
9.一种OLED基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤，
提供第一基板；
在所述第一基板上制备OLED器件；
在所述OLED器件上完成OLED基板制备，所述OLED基板包括散热层及封装层，其中散热层设置在OLED器件上方；
其中，所述封装层包括第一封装层和第二封装层，所述第一封装层完全覆盖OLED器件，所述散热层设置在第一封装层和第二封装层之间，所述第一封装层、所述散热层和所述第二封装层层叠设置，所述散热层完全覆盖所述第一封装层。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在所述OLED器件上完成OLED基板制备，具体包括，
在所述OLED器件上制备所述第一封装层；
在所述封装层上制备所述散热层；
在所述散热层上再制备所述第二封装层。
11.一种OLED面板，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的OLED基板，以及对装在所述OLED基板上的第二基板。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的OLED基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510115023.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
