[发明专利]基于Ⅱ型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器

权利要求书

1.一种基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，包括：

一衬底；

一发射极接触层，其制作在衬底上；

一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；

一隔离层，其制作在发射极上；

一双势垒结构，其制作在隔离层上；

一吸收层，其制作在双势垒层结构上；

一集电区，其制作在吸收层上；

一上电极，其制作在集电区上；

一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。

2.如权利要求1所述的基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，其中衬底的材料为N+型InP。

3.如权利要求1所述的基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，其中发射极接触层的材料为In_0.53Ga_0.47As，掺杂浓度为n型2×10¹⁸-5×10¹⁸cm^-3，厚度为400-600nm。

4.如权利要求1所述的基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，其中发射区的材料为In_0.53Ga_0.47As，掺杂浓度为n型1×10¹⁸-5×10¹⁸cm^-3，厚度为200-400nm。

5.如权利要求1所述的基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，其中隔离层的材料为In_0.53Ga_0.47As，厚度为5-9nm。

6.如权利要求1所述的基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，其中双势垒结构包括一下势垒层、一势阱层和一上势垒层，该下势垒层和上势垒层的材料为AlGaSb或GaAsSb，厚度分别为510ML，该势阱层的材料为In_0.53Ga_0.47As，厚度为410nm。

7.如权利要求1所述的基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，其中吸收层的材料为InGaAs或InGaNAs，厚度为500700nm。

8.如权利要求1所述的基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，其中集电区的材料为n型In_0.53Ga_0.47As，掺杂浓度为n型2×10¹⁸5×10¹⁸cm^-3，厚度为80120nm。

9.如权利要求1所述的基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，其中上电极和下电极的材料为TiPtAu，该上电极的形状为环形。