[发明专利]半导体装置、其制造方法和可变电阻存储器件

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体衬底；以及

多个柱体，形成在所述半导体衬底中，

其中，所述多个柱体中的每个包括：第一柱体；以及第二柱体，形成在所述第一柱体上，其中，所述第二柱体具有小于所述第一柱体的线宽。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

栅电极，设置在所述第一柱体的外壁上。

3.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：

中间单元绝缘层，设置在包围所述多个柱体之中的相邻柱体的栅电极之间。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一柱体具有随着所述第一柱体的水平高度降低而增加的线宽。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

欧姆接触层，形成为包围所述第二柱体的上表面和与所述第二柱体的上表面邻接的侧表面的边缘。

6.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

通过第一次刻蚀半导体衬底来形成上柱体；

在所述上柱体的外壁上形成间隔件；以及

通过利用所述上柱体和所述间隔件来第二次刻蚀所述半导体衬底而形成下柱体。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述下柱体的线宽至少包括所述上柱体的线宽和所述间隔件的线宽。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：在形成所述下柱体之后：

形成栅电极以与所述下柱体的下部区域重叠。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述栅电极包括：

在所述柱体的表面上形成导电材料层；

将绝缘材料层掩埋在柱体之间的空间中；以及

回刻蚀所述导电材料层和所述绝缘材料层。

10.一种可变电阻存储器件，包括：

半导体衬底；

柱体，形成在所述半导体衬底中，每个柱体具有两个或更多个层，其中，第一层具有比形成在所述第一层上的第二层更大的线宽；

栅电极，形成为包围每个柱体的下部区域；

源极，形成在每个柱体之下的半导体衬底中；

漏极，形成在每个柱体的上部区域中；以及

可变电阻层，形成为与所述漏极电耦接。