[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种沿着分割预定线分割晶片的晶片的加工方法，在所述晶片上，在通过形成为格子状的多个分割预定线在层叠于基板的正面的功能层上划分出的多个区域内形成有器件。

背景技术

近来，为了提高IC、LSI等的半导体芯片的处理能力，正在使以下形态的半导体晶片实用化：利用在硅等的基板的正面上层叠低介电常数绝缘体覆膜(Low-k膜)而成的功能层形成有半导体器件，所述低介电常数绝缘体覆膜(Low-k膜)由SiOF、BSG(SiOB)等无机物系的膜、或者聚酰亚胺系、聚对二甲苯系等的作为聚合物膜的有机物系的膜构成的。上述的Low-k膜难以通过切削刀具切削。即，由于Low-k膜如云母那样非常脆，因而存在这样的问题：当利用切削刀具沿着分割预定线进行切削时，Low-k膜剥离，该剥离到达电路而对器件造成致命的损伤。

为了解决上述问题，在下述专利文献1中公开了这样的晶片的分割方法：沿着形成在半导体晶片上的分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成激光加工槽而将功能层切断，通过将切削刀具定位在该激光加工槽并使切削刀具和半导体晶片相对移动，由此，沿着分割预定线切断半导体晶片。

专利文献1：日本特开2005-64231号公报

然而，在如上述专利文献1记载的那样通过沿着形成在半导体晶片上的分割预定线照射激光光线来沿着分割预定线形成激光加工槽而将功能层切断，然后将切削刀具定位在该激光加工槽并沿着分割预定线切断半导体晶片的晶片的分割方法中，存在这样的问题。

(1)即使激光加工槽的宽度足够，切削刀具也会与附着在激光加工槽的侧面上的熔融物接触，突发性地在器件的外周产生缺口。

(2)如果在形成激光加工槽时功能层的去除不够充分，则会发生切削刀具的偏离和倾倒，从而在器件的功能层上产生剥离。

(3)为了要在超过切削刀具的宽度的范围内形成激光加工槽，需要扩大分割预定线的宽度，从而导致在晶片上形成的器件的数量减少。

(4)由于在功能层的表面形成有包括SiO₂、SiN等的钝化膜，因此，当照射激光光线时，激光光线透过钝化膜而到达功能层的内部。其结果是，到达功能层的内部的激光光线的能量失去逸散空间，在形成有电路且密度较低的器件侧发生使加工扩展的所谓的下挖(under cut)现象。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种能够消除上述问题并将晶片分割成一个个器件的晶片的加工方法，在所述晶片上，在通过形成为格子状的多个分割预定线在层叠于基板的正面的功能层上划分出的多个区域内形成有器件。

为了解决上述课题，实现目的，本发明的晶片的加工方法是沿着分割预定线分割晶片的加工方法，在所述晶片上，在通过形成为格子状的多个分割预定线在层叠于基板的正面的功能层上划分出的多个区域内形成有器件，所述晶片的加工方法的特征在于，包括：保护部件粘贴工序,将保护部件粘贴在晶片的功能层的表面上；切削槽形成工序，将实施了该保护部件粘贴工序的晶片的该保护部件侧保持在卡盘工作台上，将切削刀具从基板的背面侧定位在与分割预定线相对应的区域处，使没有到达功能层的一部分留下并形成切削槽；晶片支承工序，在实施了该切削槽形成工序的晶片的基板的背面上粘贴切割带，通过环状的框架支承切割带的外周部，并将该保护部件剥离；和功能层切断工序，沿着在实施了该晶片支承工序的晶片的功能层上形成的分割预定线照射激光光线，对功能层进行烧蚀加工以将该功能层切断，在该切削槽形成工序中，在晶片的外周区域残留未切削部，来沿着所述分割预定线形成该切削槽。

在本发明的晶片的加工方法中，包括：切削槽形成工序，将晶片的粘贴在功能层的表面上的保护部件侧保持在卡盘工作台上，将切削刀具从基板的背面侧定位在与分割预定线相对应的区域处，使基板的、切削刀具没有到达功能层的一部分残留并形成切削槽；晶片支承工序，在构成实施了该切削槽形成工序的晶片的基板的背面粘贴切割带，通过环状的框架支承切割带的外周部，并将该保护部件剥离；和功能层切断工序，沿着在实施了该晶片支承工序的晶片的功能层上形成的分割预定线照射激光光线，对功能层进行烧蚀加工以将其切断，因此，能够获得以下的作用效果。

(1)即使在通过功能层切断工序的烧蚀加工而形成于功能层的激光加工槽的侧面上附着有熔融物，由于不使用切削刀具切削激光加工槽，因此，能够消除因切削刀具的接触而突发性地在器件的外周产生缺口这样的问题。