[发明专利]一种上电复位、掉电复位电路在审

专利信息
申请号: 201510081501.1 申请日: 2015-02-15
公开(公告)号: CN104601152A 公开(公告)日: 2015-05-06
发明(设计)人: 张亮 申请(专利权)人: 珠海市一微半导体有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 代理人:
地址: 519000 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 复位 掉电 电路
【权利要求书】:

1.一种上电复位、掉电复位电路,其特征在于,包括电阻比例分压电路、单级放大器电路、电平整形电路及阈值调整电路,所述电阻比例分压电路由多个电阻串联于电源、地之间,用于侦测取样电源电压,所述单级放大器电路输入端连接电阻比例分压电路的分压参考节点,用于放大参考节点电压与设定阈值之间差值,所述电平整形电路输入端连接单级放大器输出端,用于单级放大器输出信号整形,并送出复位信号,所述阈值调整电路跨接在电阻比例分压电路与单级放大器电路输出之间,用于上电复位、掉电复位时的阈值调整。

2.  如权利要求1所述的上电复位、掉电复位电路,其特征在于,所述电阻比例分压电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻,电源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、地之间依次串联连接;第一电阻与第二电阻之间为分压参考节点A,第二电阻与第三电阻之间为分压参考节点net0,第三电阻与第四电阻之间为分压参考节点B。

3.如权利要求1所述的上电复位、掉电复位电路,其特征在于,所述单级放大器电路包括第二NMOS管和第五电阻,第二NMOS管的栅极接分压参考节点net0,第二NMOS管的源极接地,第二NMOS管的漏极与第五电阻的一端相连,该节点形成电压参考节点net1,第五电阻的另一端连接电源。

4.如权利要求1所述的上电复位、掉电复位电路,其特征在于,所述电平整形电路为双边施密特触发器;施密特触发器的输入端连接电压参考节点net1,施密特触发器的输出为复位信号。

5.如权利要求1所述的上电复位、掉电复位电路,其特征在于,所述阈值调整电路包括第一NMOS管和第一PMOS管,第一NMOS管的栅极接电压参考节点net1,第一NMOS管的漏极接参考节点B,第一NMOS管的源极接地,第一PMOS管的栅极接参考节点net1,第一PMOS管的漏极接参考节点A,第一PMOS管的源极接电源。

6.如权利要求1所述的上电复位、掉电复位电路,其特征在于,所述第四电阻的阻值不超过第一电阻的阻值。

7.如权利要求3说述的上电复位、掉电复位电路,其特征在于,所述第二NMOS管为大宽长比的长沟道器件。

8.如权利要求4所述的上电复位、掉电复位电路,其特征在于,所述施密特触发器的上升阈值设定为60%-80%的上电电压值,所述施密特触发器的下降阈值设定为20%-40%的上电电压值。

9.如权利要求5所述的上电复位、掉电复位电路,其特征在于,所述第一NMOS管、第一PMOS管为大宽长比的短沟道器件。

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