[发明专利]过孔和显示基板的制作方法有效
申请号: | 201510025463.8 | 申请日: | 2015-01-19 |
公开(公告)号: | CN104538348B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 陈善韬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻胶层 薄膜 制作 开口 显示基板 感光度 光刻胶 刻蚀 半导体器件制造 所在区域 界定 良率 去除 保证 暴露 | ||
1.一种薄膜中的过孔制作方法,所述薄膜设置在一基板上,其特征在于,所述制作方法包括:
在所述薄膜上形成第一光刻胶层,所述薄膜包括过孔制作区;
对所述第一光刻胶层进行曝光和显影处理,形成位于过孔制作区上的第一开口;
形成覆盖所述第一光刻胶层的第二光刻胶层,所述第二光刻胶层的感光度大于所述第一光刻胶层的感光度;
对所述第二光刻胶层进行曝光和显影处理,至少去除所述第二光刻胶层的位于第一开口所在区域的部分,暴露所述过孔制作区,由保留的第一光刻胶层和保留的第二光刻胶层形成所述薄膜的刻蚀保护层;
以保留的第一光刻胶层为阻挡,刻蚀所述过孔制作区的薄膜,形成过孔;
剥离剩余的第一光刻胶层和第二光刻胶层;
所述第一光刻胶层的厚度小于或等于所述第二光刻胶层的厚度;
所述第一光刻胶层的曝光量和所述第二光刻胶层的曝光量相同。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,采用同一掩膜板对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行曝光。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述第二光刻胶层包括相邻且层叠设置的第一子光刻胶层和第二子光刻胶层;
形成第二光刻胶层的步骤包括:
形成覆盖所述第一光刻胶层的第一子光刻胶层;
对所述第一子光刻胶层进行曝光和显影处理,至少去除所述第一子光刻胶层的位于第一开口所在区域的部分,形成第二开口;
形成覆盖所述第一子光刻胶层的第二子光刻胶层;
对所述第二子光刻胶层进行曝光和显影处理,至少去除所述第二子光刻胶层的位于第二开口所在区域的部分,暴露所述过孔制作区。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述第二子光刻胶层的感光度大于所述第一子光刻胶层的感光度。
5.一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括一薄膜,所述薄膜中包括过孔,其特征在于,所述制作方法包括:
采用权利要求1-4任一项所述的制作方法在所述薄膜中形成过孔。
6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述显示基板为薄膜晶体管显示基板,所述薄膜为绝缘层。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述显示基板为共面型薄膜晶体管显示基板,所述绝缘层包括钝化层和栅绝缘层;
所述制作方法包括:
依次形成有源层图案、栅绝缘层、栅电极和钝化层;
在所述钝化层中和栅绝缘层中形成过孔,露出有源层图案;
在所述钝化层上形成源电极和漏电极,所述源电极和漏电极通过所述钝化层中和栅绝缘层中的过孔与所述有源层图案电性接触。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
形成缓冲层,在所述缓冲层上依次形成有源层图案、栅绝缘层、栅电极和钝化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造