[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审
申请号: | 201510012894.0 | 申请日: | 2015-01-12 |
公开(公告)号: | CN104779235A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 龙登超;潘添铭;陈天山 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蒋骏;胡莉莉 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
技术领域
各实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。
背景技术
制造半导体器件的方法可以包括将裸芯片或管芯安置在板(例如引线框)或印刷电路板PCB上方,以及将注模或密封材料粘附在裸芯片上方和粘附到所述板。还可以可能的是首先通过注模填料密封芯片,并接下来将芯片封装或封装安置在所述板或衬底上方。通常,芯片在操作期间将产生一些热量,这些热量必须从封装被消散或带走。为了消散热量,通常将热沉附着到芯片封装或者热沉形成封装本身的一部分。
发明内容
各实施例提供一种半导体器件,其中所述半导体器件包括载体,其中所述载体包括被配置成保持半导体芯片的第一部分;和被配置用于将所述半导体器件安装到支撑件的第二部分,所述第二部分还包括被配置成连接到所述支撑件的第一特征;和被配置成促进将热量传递离开所述第一部分的至少一个第二特征,其中所述至少一个第二特征增加所述第二部分的表面积。
此外,各实施例提供一种包括载体的半导体器件,所述载体包括被配置用于保持半导体芯片的保持区域;和包括平面表面的热消散区域,其中所述热消散区域在所述平面表面内包括至少两个遮断物(interruption)。
而且,各实施例提供一种制造半导体器件的方法,其中所述方法包括提供载体,所述载体包括被配置成保持半导体芯片的第一部分和被配置用于将所述半导体器件安装到支撑件的第二部分;以及在所述第二部分中形成至少一个特征,其中所述至少一个特征被配置成促进将热量传递离开所述第一部分,其中所述至少一个特征增加所述第二部分的表面积。
附图说明
在附图中,贯穿不同的视图,相同的参考标记一般指的是相同的部分。附图不必要按比例。而是通常将重点放在说明本发明的原理上。在下面的描述中,参照下面的附图来描述各实施例,在附图中:
图1示出热沉的详细视图;
图2A到2E示出根据示例性实施例的不同半导体器件;
图3A和3B示出根据示例性实施例的不同半导体器件布置;以及
图4示出根据示例性实施例的制造半导体器件的方法的流程图。
具体实施方式
在下面,将解释半导体器件和制造半导体器件的方法的进一步的示例性实施例。应当注意,在一个特定示例性实施例的上下文中描述的特定特征的描述也可以与其它示例性实施例组合。
词示例性的在此被用来表示充当例子、实例或者例证的意思。此处被描述为示例性的的任何实施例或者设计不必要被解释为比其它实施例或者设计优选或者有利。
各实施例提供用于芯片的热沉,其中热沉包括包含第一主表面和第二主表面的本体,其中第二主表面适合于暴露于流体介质;并且其中第二主表面包括增加第二主表面的表面积的至少两个表面结构,例如凹进结构。特别地,热沉或热沉的本体的第一主表面和第二主表面可以是相对的主表面。
特别地,热沉或者载体可以包括具有在预定阈值以上(例如在1W/(m*K)以上,优选在10W/(m*K)以上以及更优选在50W/(m*K)以上或者甚至在100W/(m*K)以上)的热导率的材料,或者可以由该材料构成。例如,载体可以包括金属或导热塑料。特别地,第一部分可以具有平坦或平面表面。载体可以基本上是板,即具有在两个维度上的延伸的本体,所述在两个维度上的延伸与在第三维度上的延伸(例如高度)相比相当较大。包括载体的半导体器件的高度可能不会由于在载体的第二部分上提供第二特征(例如表面结构)而改变。特别地,载体可以由引线框形成或者可以是引线框的一部分,在该引线框上可以布置芯片。特别地,引线框的一部分或载体可以形成引线框的所谓的管芯座(die paddle )或芯片接收区,即芯片或管芯被附着到的引线框的部分,而引线框的另一部分可以形成热沉。
术语“第二特征”(其增加了表面积)可以尤其表示主动地或任意地形成在表面上或表面内的任何特征或结构。由此其必须与存在于任何形成的本体中或代表典型表面粗糙度的普通或典型表面不平整(例如小的突出和凹陷)区分开来。所述特征或表面结构还可以被表示为宏观表面结构或者主动形成的结构,而典型表面粗糙度(其是本体的任何形成或制造工艺所固有的)可以被表示为微观结构。
术语“增加的表面积”可以尤其表示通过在该表面积之中或之上形成表面结构或凹进结构主动地增加该表面积,使得该表面积后来比在形成表面结构之前的该表面积大。换句话说,表面的大规模粗糙度也可以被增大。这种表面结构还可以被表示为载体的各部分的平面表面内的遮断物。
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