[发明专利]LED支架及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED支架及其制备方法与应用，属于照明技术领域。

背景技术

LED作为一种固态半导体照明技术，实现照明的过程必须通过LED芯片固定在线路板上实现，LED芯片一般通过正装或倒装设置在支架上。如图1、图2所示，现有的LED支架包括一体式四周封闭的框架1及设置于框架1内的基板2构成，所述基板2的两端置于截面呈凹形的连接部11内，再将连接部11的上端12分别向内弯折，使基板2的两端卡接于连接部11内。这样的结构容易导致以下几个问题：（1）、弯折时导致基板2与连接部11之间为点接触，使得基板2在连接部11内产生间隙而晃动，使得最终连接精度下降。（2）、由于基板2与连接部11之间为点接触，导致整个支架的导热性能下降。（3）、现有技术为了更好地保证基板2的稳定位置，需要在框架1内设置加强筋4，这就导致在一个框架内能放置的基板2数量的减少。（4）、由于加强筋4的存在，导致该支架在被封装形成LED灯条后，需要先对框架进行切割形成单个LED灯条，然后再对该单个LED灯条进行电性检测，非常耗时，效率低下。（5）、基板2与框架1的连接部11通过机械压合后，在制备LED灯时，导线需要在框架1上进行打线，打线时需要先对框架进行镀银，成本高。

发明内容

鉴于上述现有技术存在的缺陷，本发明的目的是提出一种LED支架及其制备方法与应用。

本发明的目的，将通过以下技术方案得以实现：

一种LED支架，包括两个相对称设置的呈梳齿状的第一引线框架与第二引线框架，及架设于所述第一引线框架与第二引线框架间的基板，所述第一引线框架与第二引线框架均包括一条形框杆及垂直设置在所述条形框杆上的一排连接端，所述第一引线框架与所述第二引线框架上的每组对应的连接端相对设置且共轴，所述基板的两端均涂覆有一层金属涂层，所述基板两端的金属涂层侧分别焊接固定于相应的连接端。

优选地，所述连接端分别均布于所述第一引线框架与第二引线框架的条形框杆上。

优选地，所述金属涂层由内层及外层构成，所述内层为Cu内层、Cr内层或Ti内层，所述外层为Ni外层或Ag外层。

优选地，所述金属涂层与连接端之间设置有用于焊接的锡膏层。

根据权利要求4所述的LED支架，其特征在于：所述金属涂层的面积大于所述锡膏层的面积。

优选地，所述基板为蓝宝石基板、陶瓷基板或玻璃基板。

一种LED支架，由至少两个以上任一所述的LED支架平面排布连接构成，且相邻的所述LED支架共享一个条形框杆，共享的条形框杆两侧均背向设置有连接端。

优选地，以上所述的一种LED支架的制备方法，包括如下步骤，

S1、采用超声波清洗技术对基板进行表面清洗；所述基板为蓝宝石基板、陶瓷基板或玻璃基板；

S2、清洗完的基板置于镀膜真空室内，抽至5*10^-4Pa以上的真空度；

S3、在所述基板的两端表面采用磁控溅射技术制备金属涂层；制备金属涂层也可采用电子束，热蒸发等其它PVD技术；

S4、通过印刷的方式将锡膏印刷在所述框条的连接端；

S5、采用贴片方式将所述基板贴装到框条的连接端上；

S6、将上述完成S5工艺后的产品放入回焊炉，进行焊接处理，使基板与框条的连接端热熔固化。

优选地，所述S3中的磁控溅射技术，具体为：将镀膜腔体真空度抽到5.0×10^-4Pa，通入纯度为99.999%的高纯氩气，流量50~70sccm，并保持真空镀膜室内的工艺真空度为1.0~3.0Pa，开启带有铜靶溅射阴极的直流溅射电源，电源功率2~4kW；沉积时间30~60分钟，沉积涂层厚度8,000A~10,000A；完成后将镀膜腔体真空度抽到5.0×10^-4Pa，通入纯度为99.999%的高纯氩气，流量50~70sccm，并保持真空镀膜室内的工艺真空度为1.0~3.0Pa，开启带有镍靶溅射阴极的直流溅射电源，电源功率2~4kW；沉积时间10~15分钟，沉积涂层厚度1,000A~3,000A。

优选地，所述S5中的贴片方式，具体为：将镀膜好金属涂层的基板使用激光或机械方式切割成规定尺寸，并采用背面贴胶方式将其放入贴片机导轨中；将框条放入治具中，通过自动印刷设备在其贴合位置印上锡膏，并连同治具流转到专用贴片机中，由贴片机将导轨中的基板放置到固定位置；治具、框条连同基板流转到回焊炉，在最高温度280℃~320℃的条件下进行热熔连接。