[发明专利]具有使用穿硅过孔(TSV)的集成麦克风器件的管芯

说明书

本公开内容的实施例描述了具有使用穿硅过孔(TSV)和相关联的技术和构造的集成麦克风设备的管芯。在一个实施例中，一种装置包括具有第一侧和被设置为与第一侧相对的第二侧的半导体衬底，形成在半导体衬底的第一侧上的互连层，形成为穿过半导体衬底并且被配置为在半导体衬底的第一侧与半导体衬底的第二侧之间传送电信号的穿硅过孔(TSV)，以及形成在半导体衬底的第二侧上并与TSV电气耦合的麦克风器件。可以描述和/或要求保护其它实施例。

技术领域

本公开内容的实施例总体上涉及集成电路领域，并且更具体来说，涉及具有使用穿硅过孔(TSV)的集成麦克风器件的管芯以及相关联的技术和构造。

背景技术

麦克风器件广泛用于各种设备中，包括例如通信设备、助听器、水下声音辨别和噪声控制。朝电子设备的小型化的工业趋势当前驱动基于微机电系统(MEMS)的麦克风器件在半导体芯片中的集成。然而，由于半导体芯片上的有限空间和半导体芯片上的有源电路的脆弱本质，这种集成可能充满困难。基于MEMS的麦克风与有源电路的集成可能向周围环境打开窗口，其可能有助于将腐蚀物或其它有害材料引入有源电路。麦克风器件在半导体芯片的有源侧上的集成可能需要较大的、成本较高的芯片。

附图说明

通过以下具体实施方式结合附图，将容易理解实施例。为了有助于该描述，类似的附图标记标识类似的结构元件。在附图的图中，通过示例的方式而不是通过限制的方式示出了实施例。

图1示意性地示出了根据一些实施例的采用晶圆形式和采用分割形式的示例性管芯的顶视图。

图2示意性地示出了根据一些实施例的集成电路(IC)组件的截面侧视图。

图3示意性地示出了根据一些实施例的电容性换能器组件的截面侧视图。

图4示意性地示出了根据一些实施例的麦克风组件的截面侧视图。

图5示意性地示出了根据一些实施例的另一个麦克风组件的截面侧视图。

图6示意性地示出了根据一些实施例的根据第一构造的麦克风组件的透视图。

图7示意性地示出了根据一些实施例的根据第二构造的麦克风组件的透视图。

图8示意性地示出了根据一些实施例的根据第三构造的麦克风组件的透视图。

图9示意性地示出了根据一些实施例的麦克风器件的示例性接收器电路。

图10示意性地示出了根据一些实施例的包括延迟信号叠加的输出数据的相控阵模拟处理的示例。

图11示意性地示出了根据一些实施例的相控阵列麦克风的示例性侧面构造。

图12示意性地示出了根据一些实施例的使用相控阵列麦克风的示例性偏转波束。

图13示意性地示出了根据一些实施例的麦克风背板和膜片的示例性布局的透视图。

图14a-o示意性地示出了根据一些实施例的在不同的制造阶段期间的麦克风组件的截面侧视图。

图15示意性地示出了根据一些实施例的用于制造麦克风组件的方法的流程图。

图16示意性地示出了根据一些实施例的可以包括如本文中所描述的麦克风组件的示例性系统。

具体实施方式

本公开内容的实施例描述了具有使用穿硅过孔(TSV)的集成麦克风器件的管芯以及相关联的技术和构造。在以下具体实施方式中，参考形成了本说明书的一部分的附图，在整个附图中，相同的附图标记标示相同的部分，并且其中，通过说明性实施例的方式示出，在所述说明性实施例中可以实践本公开内容的主题。要理解的是，可以利用其它实施例，并且可以在不脱离本公开内容的范围的情况下作出结构或逻辑变化。因此，不应以限制性意义考虑以下具体实施方式，并且实施例的范围由所附权利要求及其等同物限定。