[发明专利]金刚石基板及金刚石基板的制造方法

权利要求书

1.一种金刚石基板的制造方法，其特征在于，

准备与金刚石基板不同种类的基底基板，该基底基板是氧化镁、氧化铝、硅、石英、铂、铱、钛酸锶中的任意一种，

在该基底基板的单面上形成多个由金刚石单晶体构成的柱状金刚石，

使金刚石单晶体从各柱状金刚石的末端生长，在没有埋没各柱状金刚石的情况下使从各柱状金刚石的末端生长出的各金刚石单晶体聚结而形成金刚石基板层，

通过柱状金刚石的破坏将金刚石基板层从基底基板分离，

由金刚石基板层制造金刚石基板，

将金刚石基板的平面方向的形状形成为圆形或者设置有定向平面的圆形，且直径为2英寸以上。

2.根据权利要求1所述的金刚石基板的制造方法，其特征在于，

使所述柱状金刚石中产生应力来破坏所述柱状金刚石，从而进行所述基底基板与所述金刚石基板层的分离。

3.根据权利要求2所述的金刚石基板的制造方法，其特征在于，

所述应力是由于所述基底基板与所述金刚石基板层之间的晶格常数差而产生的应力、以及/或者、由于所述基底基板与所述金刚石基板层之间的热膨胀系数差而产生的应力。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的金刚石基板的制造方法，其特征在于，

所述各柱状金刚石的纵横比为5以上。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的金刚石基板的制造方法，其特征在于，

所述柱状金刚石的直径和间距分别被设定为10μm以下。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的金刚石基板的制造方法，其特征在于，

所述基底基板的所述单面的表面粗糙度Ra为10nm以下。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的金刚石基板的制造方法，其特征在于，

将所述柱状金刚石的高度方向设定为与形成所述柱状金刚石的金刚石单晶体的(001)面垂直的方向。

8.根据权利要求1至3中的任一项所述的金刚石基板的制造方法，其特征在于，

所述柱状金刚石是圆柱状，

在高度方向上，所述柱状金刚石的中心部分的直径形成得比末端部分的直径小。

9.根据权利要求1至3中的任一项所述的金刚石基板的制造方法，其特征在于，

所述直径为2英寸以上且8英寸以下。