[发明专利]光电子发光组件和导体框复合件

说明书

本发明涉及一种具有设置用于产生辐射的半导体芯片(2)和壳体(3)的光电子半导体器件(1)，在所述壳体中设置有半导体芯片，其中‑壳体具有带有第一连接导体(51)和第二连接导体(52)的导体框(5)；‑壳体具有局部包围导体框的壳体本体(4)，其中壳体本体沿竖直方向在安装侧(42)和前侧(41)之间延伸；‑第一连接导体具有凹处(6)，在所述凹处中半导体芯片固定在第一连接导体上；‑凹处的侧面(60)形成用于在运行中由半导体芯片放射的辐射的反射器；‑第一连接导体在安装侧上从壳体本体中伸出；和‑半导体芯片至少局部地没有邻接于半导体芯片的封装材料。此外，提出一种用于制造导体框复合件的方法。

技术领域

本申请涉及一种光电子半导体器件以及一种用于制造导体框复合件的方法，所述导体框复合件尤其设置用于制造光电子半导体器件。

背景技术

随着对于半导体器件如发光二极管的光学功率的要求增加，也提高了对于导出所形成的损失热量的要求。此外，半导体器件应尽可能成本适宜地借助标准方法例如回流焊来安装。此外，通常需要其中辐射以尽可能小的立体角放射的结构形式。

发明内容

一个目的是：提出一种半导体器件，所述半导体器件的特征在于良好的光电子特性和同时良好的散热。此外，要提出一种方法，借助所述方法简化光电子半导体器件的制造。

此外，所述目的通过根据本发明的实施例的一种光电子半导体器件或一种方法实现。其他的设计方案和合理方案是根据本发明的实施例的主题。

根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，半导体器件具有设置用于产生辐射的半导体芯片。半导体芯片尤其构成为高功率半导体芯片、尤其构成为高功率冷光二极管(Lumineszenzdiode)。将高功率半导体芯片理解为特征在于至少0.5瓦特的电功率消耗的半导体芯片。

半导体芯片尤其具有设置用于产生辐射的有源区域。半导体芯片、尤其有源区域例如具有III-V族化合物半导体材料。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有壳体。尤其，半导体芯片设置在壳体中。壳体尤其具有带有第一连接导体和第二连接导体的导体框。第一连接导体和第二连接导体设置用于外部电接触光电子半导体器件。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，壳体具有壳体本体。壳体本体尤其至少局部地包围导体框。例如，壳体本体在竖直方向上在安装侧和前侧之间延伸。壳体本体例如构成为塑料成型体。尤其，壳体本体对于要在光电子半导体器件中产生的辐射构成为是不透射辐射的。例如，第一连接导体和第二连接导体在相对置的侧上从壳体本体中伸出。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，导体框、尤其第一连接导体具有凹处，在所述凹处中半导体芯片固定在导体框上、尤其固定在第一连接导体上。例如，半导体芯片借助于粘接连接固定导体框上。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，凹处的侧面形成用于在运行中由半导体芯片放射的辐射的反射器。凹处尤其构成为使得将射到侧面上的辐射朝光电子半导体器件的主放射轴线偏转。换言之，射到侧面上的辐射在侧面上偏转之后与在偏转之前相比以相对于主放射轴线更小的角度行进。

根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，第一连接导体在安装侧上从壳体本体中伸出。在安装光电子半导体元件时，在半导体芯片中产生的损失热量直接地经由第一连接导体导出到连接导体中，例如电路板中。损失热量因此不必横越典型地具有相对低导热性的壳体本体。

根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，半导体芯片至少局部地、尤其在背离安装侧的辐射出射面上没有邻接于半导体芯片的封装材料。尤其，没有也覆盖半导体芯片的侧面的材料邻接于辐射出射面。然而，在辐射出射面上例如可以设有辐射转换元件，所述辐射转换元件将由半导体芯片产生的具有第一峰值波长的初级辐射完全地或部分地转换成具有第二峰值波长的次级辐射。