[发明专利]光伏装置及制作方法在审
申请号: | 201480045027.0 | 申请日: | 2014-05-02 |
公开(公告)号: | CN105706246A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | H·A·布拉德斯;K·W·安德雷尼;W·H·胡伯;E·T·欣纳斯;J·J·斯安格;Y·梁;J·蔡;A·F·哈维森 | 申请(专利权)人: | 第一阳光公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0296;H01L31/065;H01L31/073;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 姜冰;王传道 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 制作方法 | ||
背景技术
本发明一般涉及光伏装置。更具体地说,本发明涉及包括硒的光伏 装置,以及制作所述光伏装置的方法。
薄膜太阳能电池或光伏(PV)装置通常包括安置在透明衬底上的多 个半导体层,其中一层用作窗口层以及第二层用作吸收体层。窗口层允 许太阳辐射穿透到吸收体层,光能量在所述吸收体层被转换为可用的电 能。窗口层还起作用来与吸收体层结合形成异质结(p-n结)。碲化镉/ 硫化镉(CdTe/CdS)异质结基光伏电池是薄膜太阳能电池中的一个此类 示例,其中CdS起作用来作为窗口层。
然而,薄膜太阳能电池可具有低的转换效率。因此,光伏装置领域 中的一个主要焦点是转换效率的改善。窗口层的光吸收可以是限制PV 装置转换效率现象中的一个。此外,窗口层和吸收体层(例如,CdS/CdTe) 层之间的晶格失配可在界面导致高缺陷密度,这会进一步导致更短的界 面载流子寿命。因此,期望保持窗口层尽可能的薄,以帮助降低通过吸 收的光损失。然而,对于多数薄膜PV装置,如果窗口层太薄,由于低 开路电压(VOC)和填充因子(FF)而能够观察到性能损失。
因此,需要改善薄膜光伏装置配置以及制造这些的方法。
发明内容
本发明的实施例被包括以满足这些以及其它需要。一个实施例是光 伏装置。光伏装置包括层叠;以及吸收体层安置在所述层叠上。吸收体 层包括硒,并且硒的原子浓度跨吸收体层的厚度非线性变化。
一个实施例是光伏装置。光伏装置包括层叠,所述层叠包括安置在 支撑件上的透明传导氧化物层、安置在透明传导氧化物层上的缓冲层和 安置在缓冲层上的窗口层。所述层叠还包括安置在层叠上的吸收体层, 其中吸收体层包括硒,并且硒的原子浓度跨吸收体层的厚度非线性变化。
一个实施例是制作光伏装置的方法。所述方法包括在层叠上提供吸 收体层,其中吸收体层包括硒,并且其中硒的原子浓度跨吸收体层的厚 度非线性变化。
附图说明
当参考附图阅读以下详细描述时,本发明的这些以及其它特征、方 面和益处将变得更好理解。
图1是根据本发明一些实施例的光伏装置的示意图。
图2是根据本发明一些实施例的光伏装置的示意图。
图3是根据本发明一些实施例的光伏装置的示意图。
图4是根据本发明一些实施例的光伏装置的示意图。
图5是根据本发明一些实施例的光伏装置的示意图。
图6是根据本发明一些实施例的光伏装置的示意图。
图7是根据本发明一些实施例的光伏装置的示意图。
图8是根据本发明一些实施例的制作光伏装置的方法的示意图。
图9示出了根据本发明一个实施例的作为深度的函数的Se浓度。
图10示出了根据本发明一个实施例的作为深度的函数的Se浓度的 对数-对数图。
图11示出了根据本发明一些实施例的作为深度的函数的Se浓度。
具体实施方式
如以下详细讨论,本发明的一些实施例包括了包括硒的光伏装置。
如本文贯穿说明书和权利要求所使用的近似语言可以被应用于修改 任何数量表示,其能够可允许地变化而没有导致其所相关的基础功能中 的改变。因此,由诸如“大约”和“基本”的术语修改的值不限于指定 的精确数值。在一些情况下,近似语言可以对应于用于测量数值的仪器 的精度。这里和贯穿说明书以及权利要求,范围限制可以是组合的和/ 或互换的,此类范围被标识并包括其中所包含的所有子范围,除非上下 文或语言另外指示。
在下面的说明书和权利要求中,除非上下文另外明确指示,否则单 数形式“一(“a”和“an”)”和“所述”包括复数对象。除非上下文 另外明确指示,如本文所使用的术语“或者”并不意味着是排它的,而 指存在所引用组件(例如,层)的至少一个且包括可以存在所引用组件 的组合的情况。
如本文使用的术语“透明区域”和“透明层”指允许入射的电磁辐 射的至少70%的平均传送的区域或层,所述电磁辐射具有从约350nm到 约1000nm范围内的波长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的