[发明专利]管芯上的堆叠重分布层

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；

耦合到所述基板的多个金属层和介电层；

耦合到所述多个金属层之一的焊盘；

耦合到所述焊盘的第一金属重分布层；以及

耦合到所述第一金属重分布层的第二金属重分布层，所述第二金属重分布 层包括钴钨磷材料。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属重分布层 是铜层。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括第一凸块下 金属化(UBM)层和第二凸块下金属化(UBM)层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括所述第一金 属重分布层与所述焊盘之间的附着层，所述附着层配置成将所述第一金属重分 布层耦合到所述焊盘。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是至少 管芯、管芯封装、集成电路(IC)、晶片、和/或中介体中的一者。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被纳入 到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移 动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上 型计算机中的至少一者中。

7.一种半导体器件，包括：

基板；

耦合到所述基板的多个金属层和介电层；

耦合到所述多个金属层之一的焊盘；

耦合到所述焊盘的第一金属重分布层；

耦合到所述第一金属重分布层的第二金属重分布层；以及

耦合到所述第二金属重分布层的第三金属重分布层。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属重分布层 是第一铜层，所述第二金属重分布层是镍层，并且所述第三金属重分布层是第 二铜层。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括第一凸块下 金属化(UBM)层和第二凸块下金属化(UBM)层。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第一UBM层 是镍层，并且所述第二UBM层是铜层。

11.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括所述第 一金属重分布层与所述焊盘之间的附着层，所述附着层配置成将所述第一金属 重分布层耦合到所述焊盘。

12.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是 至少管芯、管芯封装、集成电路(IC)、晶片、和/或中介体中的一者。

13.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被 纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、 移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝 上型计算机中的至少一者中。

14.一种设备，包括：

基板；

耦合到所述基板的多个金属层和介电层；

耦合到所述多个金属层之一的焊盘；

用于电重分布的装置，所述用于电重分布的装置耦合到所述焊盘；以及

用于减少所述用于电重分布的装置的降级的装置，所述用于减少降级的装 置耦合到所述用于电重分布的装置。

15.如权利要求14所述的设备，其特征在于，所述用于电重分布的装 置是铜重分布层，其中所述用于减少所述用于电重分布的装置的降级的装置包 括用于减少所述用于电重分布的装置的铜降级的装置。

16.如权利要求14所述的设备，其特征在于，进一步包括第一凸块下 金属化(UBM)层和第二凸块下金属化(UBM)层。

17.如权利要求14所述的设备，其特征在于，进一步包括用于所述用 于电重分布的装置与所述焊盘之间的附着的装置，所述用于附着的装置配置成 将所述用于电重分布的装置耦合到所述焊盘。