[发明专利]用于等离子体处理系统的天线阵列配置在审
| 申请号： | 201480037128.3 | 申请日： | 2014-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105340063A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | J·M·怀特;J·库德拉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H05H1/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 系统 天线 阵列 配置 | ||
1.一种沉积系统，所述沉积系统包括：
第一电磁波施加器，所述第一电磁波施加器包括第一闭环天线阵列，所述第一闭环天线阵列耦接至第一专用射频发生器；以及
第二电磁波施加器，所述第二电磁波施加器包括第二闭环天线阵列，所述第二天线闭环阵列邻近所述第一闭环天线阵列而设置，并耦接至第二专用射频发生器，其中，所述第一闭环天线阵列和所述第二闭环天线阵列中的每一个都包括一对直线型等离子体管。
2.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，所述一对直线型等离子体管中的每一个直线型等离子体管在一端处由同轴导管电耦接，并在另一端处由横向构件电耦接。
3.根据权利要求2所述的沉积系统，其特征在于，所述横向构件包括电隔离器。
4.根据权利要求2所述的沉积系统，其特征在于，所述同轴导管以及所述直线型等离子体管中的一个直线型等离子体管中的一者或两者包括调谐器设备。
5.根据权利要求4所述的沉积系统，其特征在于，所述调谐器设备包括反射器。
6.根据权利要求2所述的沉积系统，其特征在于，所述同轴导管与所述直线型等离子体管中的一个直线型等离子体管相交。
7.根据权利要求6所述的沉积系统，其特征在于，所述同轴导管以及所述直线型等离子体管中的一个直线型等离子体管中的一者包括弯曲部分。
8.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，所述第一闭环天线阵列和所述第二闭环天线阵列是共平面的。
9.一种用于化学气相沉积工艺的沉积系统，所述系统包括：
气体分配系统，所述气体分配系统包括一个或多个气体分配导管；以及
第一闭环天线阵列，所述第一闭环天线阵列耦接至第一专用射频发射器；以及
第二闭环天线阵列，耦接至第二专用射频发射器，所述第二闭环天线阵列邻近所述第一闭环天线阵列而设置。
10.根据权利要求9所述的沉积系统，其特征在于，所述第一闭环天线阵列和所述第二闭环天线阵列是共平面的。
11.根据权利要求9所述的沉积系统，其特征在于，所述第一闭环天线阵列和所述第二闭环天线阵列是相啮合的。
12.根据权利要求9所述的沉积系统，其特征在于，所述第一闭环天线阵列和所述第二闭环天线阵列中的每一个都包括一对直线型等离子体管。
13.根据权利要求12所述的沉积系统，其特征在于，所述一对直线型等离子体管中的每一个直线型等离子体管在一端处由同轴导管电耦接，并且在另一端处由横向构件电耦接。
14.根据权利要求13所述的沉积系统，其特征在于，所述横向构件包括电隔离器。
15.根据权利要求13所述的沉积系统，其特征在于，所述同轴导管包括调谐器设备。
16.根据权利要求15所述的沉积系统，其特征在于，所述调谐器设备包括反射器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480037128.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光元件模块
- 下一篇：色素敏化型太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
