[发明专利]第III‑V族/锌硫属化物合金化的半导体量子点

权利要求书

1.一种形成量子点(QD)的方法，所述方法包括：在分子簇化合物的存在下，将第III族前体与第V族前体反应以形成半导体核心，所述分子簇化合物通过锌前体和硫属元素前体的反应原位形成，其中

所述锌前体是乙酸锌和硬脂酸锌中的任一种，

所述硫属元素前体是1-十二烷硫醇、苯硫酚和1-辛烷硒醇中的任一种，并且

在所述分子簇化合物的所述原位形成之前，所述第III族前体、所述锌前体和所述硫属元素前体存在于单一的反应容器中，

其中将第III族前体与第V族前体反应包括在第一温度下加热包含所述第III族前体、所述第V族前体、所述锌前体和所述硫属元素前体的混合物；

以及随后将所述混合物在第二更高的温度加热，其中

所述第一温度在25℃至100℃之间，并且

所述第二温度在100℃至350℃之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述分子簇化合物上形成所述半导体核心。

3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括维持所述第二温度至少24小时。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述锌前体和所述硫属元素前体提供在10∶4至10∶16之间的锌：硫属元素的摩尔比。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述锌和硫属元素增加了所述QD的带隙。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第III族前体是肉豆蔻酸铟；以及所述第V族前体是三(三甲基甲硅烷基)膦。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述分子簇化合物的所述原位形成之前，所述第III族前体、所述第V族前体、所述锌前体和所述硫属元素前体存在于单一的反应容器中。

8.一种形成光致发光InPZnS量子点(QD)核心的方法，所述方法包括：

提供包含肉豆蔻酸铟、肉豆蔻酸、锌盐、三(三甲基甲硅烷基)膦和烷基或芳基硫醇的混合物；

在25℃至100℃的第一温度下将所述混合物加热一段时间；

向所述混合物中加入额外的三(三甲基甲硅烷基)膦；

将所述混合物的温度升至100℃至350℃的第二较高温度；以及

将所述混合物在所述第二温度维持至少24小时，其中

所述锌盐是乙酸锌和硬脂酸锌中的任一种，并且

所述烷基或芳基硫醇是1-十二烷硫醇和苯硫酚中的任一种。

9.根据权利要求8所述的方法，其中锌盐和烷基或芳基硫醇的摩尔比是在10∶4至10∶16之间。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述混合物还包含预先形成的包含锌和硫的分子簇化合物。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述预先形成的分子簇化合物的分子式为[Zn₁₀S₄(S(C₆H₅))₁₆][NH(C₂H₅)₃]₄。