[发明专利]钽溅射靶及其制造方法在审
| 申请号： | 201480006030.1 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104937133A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 仙田真一郎;永津光太郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B21B1/22;B21B3/00;C22F1/18;C23C14/14;C22F1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
1.一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，(200)面的取向率为70％以下、且(222)面的取向率为10％以上，并且，平均晶粒尺寸为50μm以上且150μm以下、且晶粒尺寸的变动为30μm以下。
2.如权利要求1所述的钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，(200)面的取向率为60％以下、且(222)面的取向率为20％以上，并且，平均晶粒尺寸为50μm以上且150μm以下、且晶粒尺寸的变动为30μm以下。
3.如权利要求1所述的钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，(200)面的取向率为50％以下、且(222)面的取向率为30％以上，并且，平均晶粒尺寸为50μm以上且150μm以下、且晶粒尺寸的变动为30μm以下。
4.一种扩散阻挡层用薄膜，其通过使用权利要求1～3中任一项所述的溅射靶而形成。
5.一种半导体器件，其使用了权利要求4所述的扩散阻挡层用薄膜。
6.如权利要求1～3中任一项所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，对经熔炼铸造的钽锭进行锻造和再结晶退火，然后进行轧制和热处理。
7.如权利要求6所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，使用轧辊直径500mm以上的轧辊，在轧制速度10m/分钟以上、压下率大于80％的条件下进行冷轧。
8.如权利要求6所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，重复进行2次以上轧制和热处理，并使用轧辊直径500mm以上的轧辊，在轧制速度10m/分钟以上、压下率60％以上的条件下进行冷轧。
9.如权利要求6～8中任一项所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，在温度900℃～1400℃下进行热处理。
10.如权利要求6～9中任一项所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，重复进行2次以上锻造和再结晶退火。
11.如权利要求6～10中任一项所述的钽溅射靶的制造方法，其特征在于，在轧制和热处理后，通过切削、抛光进行表面精加工。
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