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[发明专利]钽溅射靶及其制造方法-CN201680004783.8有效
发明人：永津光太郎;仙田真一郎 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钽溅射靶，其中，使用背散射电子衍射法观察作为与靶的溅射面垂直的截面的轧制面法线方向ND时，{100}面沿ND取向的晶粒的面积率为30％以上。本发明的课题在于提供在高功率溅射情况下能够适当控制成膜速度的钽溅射靶。在使用这样的溅射靶进行溅射成膜时，即使对于微细布线而言，也能够形成膜厚均匀性优良的薄膜，并且能够提高薄膜形成工艺的生产率。
溅射及其制造方法

[发明专利]钽溅射靶及其制造方法-CN201680023081.4有效
发明人：永津光太郎;仙田真一郎 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钽溅射靶，其中，在使用背散射电子衍射法对作为与靶的溅射面垂直的截面的轧制面法线方向ND进行观察时，{111}面沿ND取向的晶粒的面积率为35％以上。本发明的课题在于提供在高功率溅射的情况下，通过增强溅射物质的直进性，能够在晶片面上将溅射物质均匀地成膜的钽溅射靶。在使用这样的钽靶进行溅射的情况下，即使对于微细布线而言也能够提高膜厚的均匀性和成膜的生产能力。
溅射钽溅射靶成膜晶粒电子衍射法线方向微细布线背散射垂直的高功率溅射面均匀性面积率轧制面直进性膜厚取向钽靶生产能力观察制造

[发明专利]钽溅射靶-CN201410193174.4有效
发明人：福岛笃志;小田国博;仙田真一郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的钼作为必要成分，并且除钼和气体成分以外的纯度为99.998％以上。上述钽溅射靶，其特征在于，还含有0～100质量ppm(但是不包括0质量ppm)的铌，并且除钼、铌和气体成分以外的纯度为99.998％以上。本发明可以得到具有均匀微细的组织、等离子体稳定、膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。
溅射

[发明专利]钽溅射靶及其制造方法-CN201380053775.9有效
发明人： 仙田真一郎;永津光太郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，(200)面的取向率大于70％，且(222)面的取向率为30％以下。通过控制靶的晶体取向，具有如下效果：降低钽靶的放电电压，从而容易产生等离子体，并且提高等离子体的稳定性。
钽溅射靶等离子体取向率放电电压晶体取向溅射面钽靶制造

[发明专利]钽溅射靶及其制造方法以及使用该靶形成的半导体布线用阻挡膜-CN201380015330.1有效
发明人：永津光太郎;仙田真一郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钽溅射靶，其特征在于，靶的平均晶粒尺寸为50μm以上且200μm以下，并且靶面内的晶粒尺寸的偏差为40％以上且60％以下。本发明的课题在于提供一种钽溅射靶，其能够提高膜厚的均匀性(uniformity)，并且减小膜的电阻值(薄层电阻)的偏差。
溅射及其制造方法以及使用形成半导体布线阻挡

[发明专利]溅射靶/背衬板组件-CN201480026470.3在审
发明人：永津光太郎;仙田真一郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明为一种溅射/背衬板组件，其特征在于，溅射靶包含具有150～200MPa的0.2％屈服应力的Ta，背衬板包含具有60～200MPa的0.2％屈服应力的Cu合金。本发明的课题在于，尽量减少由于以双金属的形式热膨胀与收缩而产生的溅射靶的塑形变形，提高膜厚的均匀性，提高成膜速度且提高生产率。
溅射背衬板组件

[发明专利]钽溅射靶及其制造方法-CN201480006030.1在审
发明人： 仙田真一郎;永津光太郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，(200)面的取向率为70％以下、且(222)面的取向率为10％以上，并且，平均晶粒尺寸为50μm以上且150μm以下、且晶粒尺寸的变动为30μm以下。通过控制靶的晶体取向，能够加快溅射速率，由此能够在短时间内形成需要的膜厚，并且能够提高生产能力。此外，通过控制靶的溅射面中的晶粒尺寸，具有能够抑制溅射时的异常放电的效果。
溅射及其制造方法

[发明专利]钽溅射靶及其制造方法-CN201380056788.1有效
发明人： 仙田真一郎;永津光太郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，平均晶粒尺寸为50μm以上且150μm以下、且晶粒尺寸的变动为30μm以下。一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面中，(200)面的取向率大于70％、且(222)面的取向率为30％以下，平均晶粒尺寸为50μm以上且150μm以下、且晶粒尺寸的变动为30μm以下。通过控制靶的晶粒尺寸或靶的晶粒尺寸和晶体取向，具有降低钽溅射靶的放电电压从而容易产生等离子体，并且抑制成膜中的电压漂移的效果。
溅射及其制造方法

[发明专利]钽溅射靶及其制造方法-CN201280046954.5有效
发明人： 仙田真一郎;永津光太郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钽溅射靶，其特征在于，在钽溅射靶的溅射面上，（200）面的取向率为70%以下、并且（222）面的取向率为10%以上。通过控制靶的晶体取向，可以加快溅射速率，由此，能够在短时间内形成需要的膜厚，可以提高生产能力。
溅射及其制造方法

[发明专利]钽溅射靶-CN201180038674.5有效
发明人： 仙田真一郎;福岛笃志 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钽溅射靶，其特征在于，含有30质量ppm以上且100质量ppm以下的氧作为必要成分，并且除氧和气体成分以外的纯度为99.998%以上。该钽溅射靶的平均晶粒直径为120μm以下、晶粒直径的偏差为±20%以下。可以得到具备均匀微细的组织、等离子体稳定、膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。
溅射

[发明专利]钽溅射靶-CN201180038023.6有效
发明人： 仙田真一郎;福岛笃志 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且50质量ppm以下的硼作为必要成分，并且除硼和气体成分以外的纯度为99.998%以上。本发明的目的在于得到具有均匀微细的组织、等离子体稳定、膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。
溅射

[发明专利]钽溅射靶-CN201080025414.X有效
发明人：福岛笃志;小田国博;仙田真一郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的钨作为必要成分，并且除钨和气体成分以外的纯度为99.998％以上。上述钽溅射靶，其特征在于，还含有0～100质量ppm(但是不包括0质量ppm)的钼和/或铌，钨、钼、铌的合计含量为1质量ppm以上且150质量ppm以下，并且除钨、钼、铌和气体成分以外的纯度为99.998％以上。本发明可以得到具有均匀微细的组织、等离子体稳定、膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。
溅射

[发明专利]钽溅射靶-CN201080025396.5有效
发明人：福岛笃志;小田国博;仙田真一郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的钼作为必要成分，并且除钼和气体成分以外的纯度为99.998％以上。上述钽溅射靶，其特征在于，还含有0～100质量ppm(但是不包括0质量ppm)的铌，并且除钼、铌和气体成分以外的纯度为99.998％以上。本发明可以得到具有均匀微细的组织、等离子体稳定、膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。
溅射

[发明专利]半导体布线用阻挡膜、烧结体溅射靶及溅射靶的制造方法-CN201080003041.6有效
发明人： 仙田真一郎;山越康广;伊藤顺一 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2010-04-05 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体布线用阻挡膜，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，具有WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成；及一种用于形成半导体布线用阻挡膜的烧结体溅射靶，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，其特征在于，具有WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成，并且靶的组织包括W基质以及存在于W基质中的Ni粒子，具有W扩散到该Ni粒子中的组织。本发明的课题在于提供不依赖于溅射时的氮化反应，靶本身与阻挡膜具有相同组成，并且可以有效防止半导体器件的反应，再者溅射时不产生粉粒，特别是作为阻挡膜有用，并且在该阻挡膜形成时具有优良的特性的溅射靶及该靶的制造方法。
半导体布线阻挡烧结溅射制造方法

[发明专利]通过非电解镀形成铜薄膜的镀件-CN200980130346.0有效
发明人：伊藤顺一;矢部淳司;关口淳之辅;伊森彻;山越康广;仙田真一郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属有限公司
申请日： 2009-07-13 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C18/38 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种镀件，其中，与在钨、钼等的单质金属上进行非电解镀铜的情况相比，使在大马士革铜配线等上的通过非电解镀铜形成籽晶层时的成膜均匀性和粘附性提高，进而消除在铜籽晶层成膜之前的形成阻挡层和催化剂金属层这两层的烦杂，能够进行超微细配线的形成，以薄且均匀的膜厚形成籽晶层。该镀件的特征在于，在基材上形成有包含金属B和金属A的防止铜扩散用阻挡合金薄膜，所述金属B能够与非电解镀铜液中所含的铜离子进行置换镀，并且对铜具有阻挡性，所述金属A在pH10以上的非电解镀铜液中的离子化倾向比金属B小；该防止铜扩散用阻挡合金薄膜具有所述金属A为15原子％～35原子％的组成，在其上通过使用了pH10以上的非电解镀铜液的非电解镀而形成有铜薄膜。
通过电解形成薄膜

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