[实用新型]一种MEMS传感器和MEMS麦克风

说明书

技术领域

本实用新型涉及麦克风技术领域，特别是涉及一种MEMS传感器和MEMS麦克风。

背景技术

目前的MEMS麦克风的振膜通常为单一厚度，并且是全膜设计的。对于MEMS麦克风的振膜，需要满足机械冲击、跌落、吹气等相关强度的性能要求。然而现有的全膜设计的MEMS麦克风的振膜，在突然受到大的气压冲击，如吹气时，容易造成振膜的破损。

由上述可知，现有的MEMS振膜在突然受到大的气压冲击时如吹气，容易造成破损的问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种MEMS电容传感器和一种MEMS麦克风。本实用新型提供的技术方案能够解决现有的MEMS振膜在突然受到大的气压冲击时如吹气，容易造成破损的问题。

本实用新型公开了一种MEMS电容传感器，包括：基底、背极板、振膜、绝缘层和支撑层；其特征在于，

所述振膜的外边缘上设有至少一个缺口，所述背极板上设有开槽，所述开槽与所述振膜的缺口处对应设置；

所述背极板、振膜、支持层、绝缘层和基底相互配合，在每个缺口处的所述振膜下方形成用于泄气的泄气通道。

可选的，所述泄气通道的个数为N个；其中N为小于等于20的自然数。

可选的，所述N个泄气通道均匀分布在所述振膜的外边缘上。

可选的，其特征在于，所述背极板上的开槽的横截面的宽度为5um～100um。

可选的，所述振膜为全封闭振膜。

可选的，所述振膜上设有在外气压超过预设值后开启的泄气结构。

可选的，所述泄气结构的个数为N个；其中N为小于等于50的自然数。

可选的，所述N个泄气结构均匀地分布在所述振膜的边缘上。

可选的，所泄气结构的横截面的宽度范围为0.1um～10um；所泄气结构的横截面的长度范围为1um～200um。

本实用新型还公开了一种MEMS麦克风，所述MEMS麦克风包括如上述任意一项所述的MEMS电容传感器。

综上所述，在本实用新型所提供的技术方案中，通过在振膜的外边缘上设有至少一个缺口，在背极板上设有开槽，使得背极板、振膜、支持层、绝缘层和基底相互配合，在每个缺口处的所述振膜下方形成用于泄气的泄气通道。使得振膜能够在受到气压冲击时，能够通过形成的泄气通道实现泄气，从而保护振膜不因大的气压冲击而损坏，从而解决了现有的MEMS振膜在突然受到大的气压冲击时如吹气，容易造成破损的问题。

附图说明

图1是本实用新型一种MEMS电容传感器的纵截面示意图；

图2是图1所述MEMS电容传感器的俯视图；

图3是本实用新型一种实施例中的MEMS电容传感器的俯视图；

图4是本实用新型另一种实施例中的MEMS电容传感器的俯视图；

图5是图4中的振膜正常情况下的剖视图；

图6是图4中的振膜受冲击情况下的剖视图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作还地详细描述。

为达到上述目的本实用新型的技术方案是这样实现的：

图1是本实用新型一种MEMS电容传感器的纵截面示意图，图2是图1所述MEMS电容传感器的俯视图。如图1、2所示，所述MEMS电容传感器包括：基底105、背极板101、振膜103、绝缘层104和支撑层102；所述振膜103的外边缘上设有至少一个缺口1031，背极板101上设有开槽1011，开槽1011设置在振膜103的缺口1031处。

其中，背极板101、振膜103、支持层102、绝缘层104和基底105相互配合，在每个缺口1031处的振膜103下方形成用于泄气的泄气通道。参见图1中双箭头所示即为泄气通道。

在本实用新型的一种实施例中，在MEMS电容传感器上设置的泄气通道的个数为N个；其中N为小于等于20的自然数。

在本实用新型的一种实施例中，N个泄气通道均匀分布在所述振膜的外边缘上。

图3是本实用新型一种实施例中的MEMS电容传感器的俯视图。参见图3所述，图3中设置了5个缺口处，因此该MEMS电容传感器设有5个泄气通道。

在本实用新型的一种实施例中，为了在保证该MEMS电容传感器正常使用的情况下，在背极板101上的开槽1011的横截面的宽度为5um～100um。