[实用新型]一种MEMS传感器和MEMS麦克风有效
| 申请号： | 201420741131.0 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN204316746U | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡孟锦;邱冠勋;周宗燐;宋青林 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;吴昊 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 传感器 麦克风 | ||
1.一种MEMS电容传感器，包括：基底、背极板、振膜、绝缘层和支撑层；其特征在于，
所述振膜的外边缘上设有至少一个缺口，所述背极板上设有开槽，所述开槽对应所述振膜的缺口处设置；
所述背极板、振膜、支持层、绝缘层和基底相互配合，在每个缺口处的所述振膜下方形成用于泄气的泄气通道。
2.根据权利要求1所述的MEMS电容传感器，其特征在于，所述泄气通道的个数为N个；其中N为小于等于20的自然数。
3.根据权利要求2所述的MEMS电容传感器，其特征在于，所述N个泄气通道均匀分布在所述振膜的外边缘上。
4.根据权利要求1所述的MEMS电容传感器，其特征在于，所述背极板上的开槽的横截面的宽度为5um～100um。
5.根据权利要求1-4任一项所述的MEM电容传感器，其特征在于，所述振膜为全封闭振膜。
6.根据权利要求1所述的MEMS电容传感器，其特征在于，所述振膜上设有在外气压超过预设值后开启的泄气结构。
7.根据权利要求6所述的MEMS电容传感器，其特征在于，所述泄气结构的个数为N个；其中N为小于等于50的自然数。
8.根据权利要求7所述的MEMS电容传感器，其特征在于，所述N个泄气结构均匀地分布在所述振膜的边缘上。
9.根据权利要求6所述的MEMS电容传感器，其特征在于，所泄气结构的横截面的宽度范围为0.1um～10um；所泄气结构的横截面的长度范围为1um～200um。
10.一种MEMS麦克风，其特征在于，所述MEMS麦克风包括如权利要求1～9中任意一项所述的MEMS电容传感器。
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