[实用新型]硅片湿法刻蚀机有效
申请号: | 201420724563.0 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN204189774U | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 陈五奎;李军;徐文州;陈磊;冯加保 | 申请(专利权)人: | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李玉兴 |
地址: | 614000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 湿法 刻蚀 | ||
1.硅片湿法刻蚀机,包括机体(1),所述机体(1)上设置有用于输送硅片的输送滚轮(2),在输送滚轮(2)的下方沿硅片的移动方向依次设置有刻蚀槽(3)、碱洗槽(4)、清洗槽(5)、干燥槽(6),所述刻蚀槽(3)下方设置有用于储存刻蚀液的第一储液盒(7),刻蚀槽(3)上方设置有多个用于喷洒刻蚀液的第一喷管(8),所述第一储液盒(7)上连接有第一补液管(9),所述多个第一喷管(8)分别与第一补液管(9)连通,所述第一补液管(9)上设置有第一液泵(10);所述碱洗槽(4)下方设置有用于储存碱液的第二储液盒(11),碱洗槽(4)上方设置有多个用于喷洒碱液的第二喷管(12),所述第二储液盒(11)上连接有第二补液管(13),所述多个第二喷管(12)分别与第二补液管(13)连通,所述第二补液管(13)上设置有第二液泵(14);所述清洗槽(5)下方设置有用于储存清洗液的第三储液盒(15),清洗槽(5)上方设置有多个用于喷洒清洗液的第三喷管(16),所述第三储液盒(15)上连接有第三补液管(17),所述多个第三喷管(16)分别与第三补液管(17)连通,所述第三补液管(17)上设置有第三液泵(18);所述干燥槽(6)内设置有多个气刀发生装置(19),多个气刀发生装置(19)分别设置在硅片的上下两侧,其特征在于:所述刻蚀槽(3)内设置有第一挡板(20),所述第一挡板(20)将刻蚀槽(3)分为刻蚀区(301)与第一溢流区(302),所述第一溢流区(302)底部设置有与第一储液盒(7)连通的第一连通管(21);所述碱洗槽(4)内设置有第二挡板(22),所述第二挡板(22)将碱洗槽(4)分为碱洗区(401)与第二溢流区(402),所述第二溢流区(402)底部设置有与第二储液盒(11)连通的第二连通管(23);所述清洗槽(5)内设置有第三挡板(24),所述第三挡板(24)将清洗槽(5)分为清洗区(501)与第三溢流区(502),所述第三溢流区(502)底部设置有与第三储液盒(15)连通的第三连通管(25);所述第一挡板(20)、第二挡板(22)、第三挡板(24)均由固定板(26)与活动板(27)组成,所述固定板(26)的一侧面设置有滑轨,所述活动板(27)朝向固定板(26)的侧面设置有与滑轨相匹配的滑槽。
2.如权利要求1所述的硅片湿法刻蚀机,其特征在于:所述气刀发生装置(19)包括喷管(191),所述喷管(191)的两端密封,所述喷管(191)水平设置且垂直于硅片的移动方向,所述喷管(191)朝向硅片的表面沿轴向方向开有气刀缝隙(192),所述喷管(191)上连接有进气管(193),进气管(193)的另一端连接有空气压缩机(194),所述空气压缩机(194)与进气管(193)之间设置有气体加热装置(195)。
3.如权利要求2所述的硅片湿法刻蚀机,其特征在于:所述气体加热装置(195)包括柱状基体(1951),所述柱状基体(1951)内设置有圆柱形的气体加热空腔(1952),所述柱状基体(1951)上设置有与气体加热空腔(1952)连通的进气口与出气口,所述进气口通过气管与空气压缩机(194)的出口连通,所述出气口与进气管(193)连通,所述柱状基体(1951)的表面缠绕有加热丝(1953),所述加热丝(1953)连接在电源(1954)上。
4.如权利要求3所述的硅片湿法刻蚀机,其特征在于:所述加热丝(1953)与电源(1954)之间设置有温控表(1955),所述气体加热空腔(1952)内设置有温度探头(1956),所述温度探头(1956)与温控表(1955)相连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造