[实用新型]一种用于PVD溅射的载板

说明书

技术领域

本实用新型涉及到半导体制造的技术领域，特别涉及到一种用于PVD溅射的载板。

背景技术

异质结太阳能电池片结合了非晶硅和单晶硅的特性，具有低温制备工艺，转换效率高，高温特性优异等特点。异质结太阳能电池的结构特征是以光照射侧的P-型非晶硅和背面侧的N-型非晶硅夹住N型单晶硅片,在两侧的顶层形成透明的电极，具有对称性。当单晶硅为P型时，其光照射侧为N-型非晶硅。利用掺杂薄膜硅层在晶硅衬底上制作异质PN结，高质量薄膜非晶硅使单晶硅表面得到很好的钝化，进而得到较高的开路电压。

当非晶硅薄膜在硅片正反两边依次形成之后，下一步是通过PVD溅射的方法在正反两边依次沉积一层透明的导电氧化物层。导电透明氧化物层一般是用透过率高，导电性好的ITO材料，或其他元素掺杂的氧化铟。正反两边沉积完导电氧化物后，当用电镀法在导电氧化物表面制作金属栅线时，首先要在导电氧化物表面同样用PVD溅射的方法沉积金属叠层，金属叠层包括一层阻挡层与一层种子层。阻挡层一般可用Ti系列金属或Ta系列金属以防止铜在导电氧化物中的扩散，种子层为铜种子层。金属叠层可以解决电镀铜与导电氧化物的粘合力问题。但在采用PVD溅射法沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层时，容易绕镀到硅片边缘引起电池片的短路。因此，如何在硅片上沉积导电氧化物层、阻挡层、种子层时实现导电氧化物层、阻挡层、种子层在硅片边缘的隔离，避免因绕镀引起的短路，是在制作高效能太阳能电池片时必须要解决的一个问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于PVD溅射的载板，由底板和盖板组合，在基板正反面沉积薄膜层时，基板边缘由盖板的定位框遮掩，使薄膜层在基板边缘形成隔离，避免绕镀。

为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种用于PVD溅射的载板，所述载板由底板和盖板组合，所述底板为带有边框的凹槽托板，用于承载基板，所述边框上有定位针，所述凹槽托板开有通孔；所述盖板与底板相配，为带有中间镂空槽的定位框，所述定位框有与底板定位针相对应的U型定位槽；所述凹槽托板承载的基板边缘部分在盖板和底板组合后被定位框遮掩。

其中，所述边框上至少有两个相对应的定位针，所述定位框上至少有两个相对应的U型定位槽，所述定位针与U型定位槽相对应。

其中，所述载板可由A×B的多个载板拼接而成，其中A≥1，B≥1。

其中，所述基板为硅片。

本实用新型采用以上技术方案，采用底板和盖板组合形成载板在基板正反面沉积薄膜层时，基板边缘由盖板的定位框遮掩，使薄膜层在基板边缘形成隔离，避免绕镀；且在凹槽托板开有通孔，使基板在溅射后底部与外部环境相连接，在破除真空的状态后，基板与底板不存在压力差，降低碎片率；并采用U型定位槽对应定位针组合固定载板，能够更精确的定位和便于取放，减少精确定位的时间。

附图说明

图1为本实用新型底板的结构示意图。

图2为本实用新型盖板的结构示意图。

图3为本实用新型底板和盖板组合过程的示意图。

图4为本实用新型载板组合完成的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、特征和优点更加的清晰，以下结合附图及实施例，对本实用新型的具体实施方式做出更为详细的说明，在下面的描述中，阐述了很多具体的细节以便于充分的理解本实用新型，但是本实用新型能够以很多不同于描述的其他方式来实施。因此，本实用新型不受以下公开的具体实施的限制。

一种用于PVD溅射的载板，如图1、图2所示，所述载板由底板1和盖板2组合，所述底板1为带有边框101的凹槽托板10，用于承载基板0，所述边框101上有定位针102，所述凹槽托板10开有通孔103，使基板0在溅射后底部与外部环境相连接，在破除真空的状态后，基板0与底板1不存在压力差，降低碎片率；所述盖板2与底板1相配，为带有中间镂空槽201的定位框20，所述定位框20有与定位针102相对应的U型定位槽202；所述凹槽托板10承载的基板0边缘部分在盖板2和底板1组合后被定位框20遮掩，其中所述边框101上至少有两个相对应的定位针102，所述定位框20上至少有两个相对应的U型定位槽202，所述定位针102与U型定位槽202相对应，用于固定组合底板1和盖板2，采用U型定位槽202能够更精确的定位和便于取放，减少精确定位的时间。