[实用新型]倒装芯片的锡膏共晶结构有效

专利信息
申请号: 201420348248.2 申请日: 2014-06-26
公开(公告)号: CN203932106U 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 陈苏南 申请(专利权)人: 深圳市迈克光电子科技有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市龙华新*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 倒装 芯片 锡膏共晶 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及LED的封装技术领域,尤其涉及一种倒装芯片的锡膏共晶结构。

背景技术

发光二极管是一种能将电能转换为可见光固态的半导体器件,其被广泛应用于显示屏、交通信号、显示光源、汽车用灯、LED背光源、照明光源等领域。发光二极管在具体应用之前需要进行LED封装之后才能正式使用。现有市面上LED封装包括以下缺陷:

1)传统的LED导线架支架是使用铜材冲压后放入塑料射出机内,进行埋入射出后成型的,这种成型方式,不仅工艺复杂,而且散热效果差;

2)LED导线架支架上直接设置两个电极焊点,且LED芯片的两电极直接朝上并分别通过金线与LED导线架支架的两极焊接,这种焊接方式由于焊液具有流动性,LED芯片很容易出现移位现象,造成LED芯片定位不准确,从而造成LED产品质量不合格,且金线焊接费时费力;

3)传统采用塑料射出导线架工艺,即是采用PPA塑料结构进行反射,因此需要单独设置PPA塑料结构的分布空间,不仅加大了成本和封装体积;而且塑料结构的折射,造成光线折射导致光损失。PPA塑料PPA 塑料中文为:耐高温尼龙, PPa热变形温度高达300°C以上,连续使用温度可达170°C能满足您所需的短期和长期的热性能。

因此,现有市面上的封装技术已无法满足市场的需求了。

实用新型内容

针对上述技术中存在的不足之处,本实用新型提供一种散热效果好、成本低、体积小、发光效果好及共晶定位准确的倒装芯片的锡膏共晶结构。

为实现上述目的,本实用新型提供一种倒装芯片的锡膏共晶结构,包括正极金属支架、负极金属支架和LED芯片,所述正极金属支架与负极金属支架之间通过绝缘区隔离后形成金属倒装支架体,所述金属倒装支架体向下内嵌凹有一成型腔,所述LED芯片的正电极和负电极均朝向下,所述LED芯片倒装在该成型腔内,且所述LED芯片的正电极通过锡膏共晶在正极金属支架上,所述LED芯片的负电极通过锡膏共晶在负极金属支架上;所述成型腔内注塑环氧树脂胶后LED芯片包覆在该环氧树脂胶内。

其中,所述金属正极支架和金属负极支架的外表面均电镀有附着银离子的银电镀层。

其中,所述正极金属支架的一端向上折弯后形成正极引脚,所述负极金属支架的一端向上折弯后形成负极引脚。

其中,所述正极金属支架的另一端与负极金属支架的另一端之间的绝缘区内注塑有环氧树脂胶。

其中,所述银电镀层为铜镀银电镀层、铜镀镍银电镀层或铁镀镍银电镀层中的一种。

其中,所述正极金属支架和负极金属支架均为铜材支架、铁材支架或铝材支架中的一种。

其中,所述成型腔为U型成型腔;且所述绝缘区置于成型腔的底端中心位置上。

其中,所述锡膏的共晶温度为220°。

本实用新型的有益效果是:与现有技术相比,本实用新型提供的倒装芯片的锡膏共晶结构,LED芯片的正负电极均朝向下,且各自采用倒装的方式通过锡膏共晶在正极金属支架和负极金属支架上,该倒装共晶方式不仅有效避免因焊液流动导致LED芯片移位的现象,提高了共晶定位的准确性,而且省略了焊金线的步骤,直接共晶接触,使得LED芯片与正负极金属支架的导热性更好,有利于提高散热效果;同时,正极支架和负极支架均由金属制成,不仅进一步提高散热效果,而且可取消导线架PPA结构降低成本和减小了支架体积;进一步的,采用环氧树脂胶注塑满成型腔,将LED芯片包覆在该环氧树脂胶内,可确保光直线进行,减少了光线折射导致光损失,提高了发光效果。本实用新型具有散热效果好、成本低、体积小、发光效果好、共晶定位准确、制作工艺简单、适合大批量生产等特点。

附图说明

图1为本实用新型未注塑环氧树脂胶的主视图;

图2为图1的俯视图;

图3为图1注塑环氧树脂胶后的主视图。

主要元件符号说明如下:

10、正极金属支架 11、负极金属支架

12、LED芯片 13、锡膏

14、环氧树脂胶 15、成型腔

16、绝缘区 101、正极引脚

111、负极引脚

具体实施方式

为了更清楚地表述本实用新型,下面结合附图对本实用新型作进一步地描述。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市迈克光电子科技有限公司,未经深圳市迈克光电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420348248.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top