[实用新型]倒装芯片的锡膏共晶结构

权利要求书

1.一种倒装芯片的锡膏共晶结构，其特征在于，包括正极金属支架、负极金属支架和LED芯片，所述正极金属支架与负极金属支架之间通过绝缘区隔离后形成金属倒装支架体，所述金属倒装支架体向下内嵌凹有一成型腔，所述LED芯片的正电极和负电极均朝向下，所述LED芯片倒装在该成型腔内，且所述LED芯片的正电极通过锡膏共晶在正极金属支架上，所述LED芯片的负电极通过锡膏共晶在负极金属支架上；所述成型腔内注塑环氧树脂胶后LED芯片包覆在该环氧树脂胶内。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片的锡膏共晶结构，其特征在于，所述金属正极支架和金属负极支架的外表面均电镀有附着银离子的银电镀层。

3.根据权利要求1所述的倒装芯片的锡膏共晶结构，其特征在于，所述正极金属支架的一端向上折弯后形成正极引脚，所述负极金属支架的一端向上折弯后形成负极引脚。

4.根据权利要求3所述的倒装芯片的锡膏共晶结构，其特征在于，所述正极金属支架的另一端与负极金属支架的另一端之间的绝缘区内注塑有环氧树脂胶。

5.根据权利要求2所述的倒装芯片的锡膏共晶结构，其特征在于，所述银电镀层为铜镀银电镀层、铜镀镍银电镀层或铁镀镍银电镀层中的一种。

6.根据权利要求1所述的倒装芯片的锡膏共晶结构，其特征在于，所述正极金属支架和负极金属支架均为铜材支架、铁材支架或铝材支架中的一种。

7.根据权利要求6所述的倒装芯片的锡膏共晶结构，其特征在于，所述成型腔为U型成型腔；且所述绝缘区置于成型腔的底端中心位置上。

8.根据权利要求1所述的倒装芯片的锡膏共晶结构，其特征在于，所述锡膏的共晶温度为220°。