[实用新型]漂浮节点具有可变电容的源像像素及图像传感器有效

专利信息
申请号: 201420307796.0 申请日: 2014-06-10
公开(公告)号: CN203910802U 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 郭同辉;旷章曲;唐冕 申请(专利权)人: 北京思比科微电子技术股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/374
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;赵镇勇
地址: 100085 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 漂浮 节点 具有 可变电容 像素 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种有源像素,包括置于半导体基体中的感光元件、位于感光元件与漂浮节点之间的传输晶体管、连接漂浮节点的复位晶体管、连接漂浮节点的源跟随晶体管及开关晶体管和列位线,其特征在于,所述漂浮节点的有源区包括N型重掺杂有源区和N型轻掺杂有源区,所述N型重掺杂有源区和N型轻掺杂有源区均位于P阱内,并且所述N型轻掺杂有源区的一侧面与所述N型重掺杂有源区相接触。

2.根据权利要求1所述的有源像素,其特征在于,所述N型轻掺杂有源区包括设于表面的P型硅,所述P型硅为重掺杂区,所述P型硅下方为N型轻掺杂区。

3.根据权利要求2所述的有源像素,其特征在于,所述P型硅的厚度为0.08–0.14um。

4.一种图像传感器,其特征在于,该图像传感器包含权利要求1、2或3所述的有源像素。

5.根据权利要求4所述的图像传感器,其特征在于,该图像传感器为CMOS图像传感器。

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