[实用新型]双极结型晶体管有效

专利信息
申请号: 201420234777.X 申请日: 2014-05-08
公开(公告)号: CN203812885U 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 甘正浩 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L29/73 分类号: H01L29/73;H01L29/10
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 双极结型 晶体管
【权利要求书】:

1.一种双极结型晶体管,其特征在于,包括:

衬底,所述衬底具有第一面以及与所述第一面相对的第二面;

发射极区,位于所述衬底中,所述发射极区面向所述第一面;

集电极区,位于所述衬底中,并至少围绕所述发射极区的相邻两面,所述集电极区面向所述第一面;以及

基极区,位于所述衬底中,并位于所述发射极区与集电极区之间,所述基极区面向所述第一面,所述基极区至少具有一导通所述发射极区与集电极区的基极区开口;

其中,所述衬底和基极区均为第一导电类型掺杂,所述发射极区和集电极区均为第二导电类型掺杂。

2.如权利要求1所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述基极区开口位于所述基极区的一面,所述基极区的横截面为C形。

3.如权利要求2所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述集电极区的横截面为环形,并完全包围所述发射极区和基极区。

4.如权利要求2所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述集电极区具有一集电极区开口,所述集电极区的横截面为C形,所述集电极区开口的方向与所述基极区开口的方向相同。

5.如权利要求2所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述集电极区具有一集电极区开口,所述集电极区的横截面为C形,所述集电极区开口的方向与所述基极区的方向相反。

6.如权利要求1所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述基极区开口位于所述基极区相邻的两面,所述基极区的横截面为L形。

7.如权利要求2所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述集电极区具有一集电极区开口,所述集电极区的横截面为L形,所述集电极区开口的方向与所述基极区开口的方向相同。

8.如权利要求2所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述集电极区具有一集电极区开口,所述集电极区的横截面为L形,所述集电极区开口的方向与所述基极区的方向相反。

9.如权利要求1-8中任意一项所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述双极结型晶体管还包括:

第一阱,位于所述衬底中,所述发射极区和基极区位于所述第一阱中;

第二阱,位于所述衬底中,所述集电极区位于所述第二阱中,所述第二阱围绕所述第一阱;

深阱,位于所述衬底中,所述深阱位于所述第一阱和第二阱面向所述第二面的一侧;

其中,所述第一阱为第一导电类型掺杂,所述第二阱和深阱均为第二导电类型掺杂。

10.如权利要求1所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述基极区、发射极区、集电极区之间透过隔离区相互隔离。

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