[实用新型]双极结型晶体管有效
申请号: | 201420234777.X | 申请日: | 2014-05-08 |
公开(公告)号: | CN203812885U | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 甘正浩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L29/73 | 分类号: | H01L29/73;H01L29/10 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双极结型 晶体管 | ||
1.一种双极结型晶体管,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底具有第一面以及与所述第一面相对的第二面;
发射极区,位于所述衬底中,所述发射极区面向所述第一面;
集电极区,位于所述衬底中,并至少围绕所述发射极区的相邻两面,所述集电极区面向所述第一面;以及
基极区,位于所述衬底中,并位于所述发射极区与集电极区之间,所述基极区面向所述第一面,所述基极区至少具有一导通所述发射极区与集电极区的基极区开口;
其中,所述衬底和基极区均为第一导电类型掺杂,所述发射极区和集电极区均为第二导电类型掺杂。
2.如权利要求1所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述基极区开口位于所述基极区的一面,所述基极区的横截面为C形。
3.如权利要求2所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述集电极区的横截面为环形,并完全包围所述发射极区和基极区。
4.如权利要求2所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述集电极区具有一集电极区开口,所述集电极区的横截面为C形,所述集电极区开口的方向与所述基极区开口的方向相同。
5.如权利要求2所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述集电极区具有一集电极区开口,所述集电极区的横截面为C形,所述集电极区开口的方向与所述基极区的方向相反。
6.如权利要求1所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述基极区开口位于所述基极区相邻的两面,所述基极区的横截面为L形。
7.如权利要求2所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述集电极区具有一集电极区开口,所述集电极区的横截面为L形,所述集电极区开口的方向与所述基极区开口的方向相同。
8.如权利要求2所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述集电极区具有一集电极区开口,所述集电极区的横截面为L形,所述集电极区开口的方向与所述基极区的方向相反。
9.如权利要求1-8中任意一项所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述双极结型晶体管还包括:
第一阱,位于所述衬底中,所述发射极区和基极区位于所述第一阱中;
第二阱,位于所述衬底中,所述集电极区位于所述第二阱中,所述第二阱围绕所述第一阱;
深阱,位于所述衬底中,所述深阱位于所述第一阱和第二阱面向所述第二面的一侧;
其中,所述第一阱为第一导电类型掺杂,所述第二阱和深阱均为第二导电类型掺杂。
10.如权利要求1所述的双极结型晶体管,其特征在于,所述基极区、发射极区、集电极区之间透过隔离区相互隔离。
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