[实用新型]一种多集成三极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及三极管，尤其涉及一种将普通三极管芯片中集成电阻后，再将该集成三极管芯片和二极管封装在一起的新型多集成三极管。

背景技术

目前市面上输入电源电压在200-240V的条件下，使用的电子镇流器及荧光灯的电路中，有一种在DB3触发管的半桥电路中，采用开关功率三极管作为开关元件，会在基极与发射极之间并接一个电阻的，该线路中还会在其基极与发射极之间反向并接二极管，在现有技术大多采用分立的二极管和三极管组合、电阻与三极管分立使用，其缺陷是占用更多的PCB空间，不利于产品的小型化，且三个器件独立封装浪费更多的成本和材料。故此开发一种将三极管、二极管、电阻集成在一起的多集成三极管，是业内亟需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型是要解决现有技术的上述问题，提出将三极管、二极管、电阻集成在一起的多集成三极管。

为解决上述技术问题，本实用新型提出的技术方案是设计一种多集成三极管，其包括：封装胶壳，封装在封装胶壳内的三极管芯片和二极管芯片；所述三极管芯片包含发射极层、包在发射极层周边和底面的基极层、包在基极层周边和底面的高阻层、贴在高阻层底面的集电极层，所述发射极层、基极层、高阻层的顶面平齐并在其上设有绝缘层，位于基极层上方的绝缘层中设有通孔、该通孔内设有用于连接基极层的基电极，发射极层中设有一个贯通的基区孔，该基区孔上方的绝缘层中设有通孔、该通孔和基区孔内设有用于连接发射极层的发射电极，发射电极在基区孔的底端连接发射极层、在基电极和发射电极之间的基极层中形成一个沟道电阻，集电极层底部焊接第一焊接片；所述二极管芯片包含由上而下叠置的阳极和阴极，该阴极底部焊接第二焊接片，所述阳极通过导线连接所述发射电极，基电极通过导线与第二焊接片焊接，发射电极通过导线与第三焊接片焊接，第一、第二、第三焊接片分别连接一端伸出封装胶壳之外的第一、第二、第三引脚。

所述第一焊接片和第一引脚为一整体，所述第二焊接片和第二引脚为一整体，所述第三焊接片和第三引脚为一整体。

所述第一焊接片、第二焊接片、第三焊接片处于同一平面。

所述第一、第二、第三焊接片之间留有间隙互不接触，各导线之间留有间隙互不接触。

与现有技术相比，本实用新型将三极管、二极管、电阻集成封装在一起,节省了制备三件分立元件的材料，降低了元件成本；三极管的Ic电流能力提高，Tf明显降低，减少开通损耗和开关时间，VCEO降低；可用小功率（小面积芯片）三极管替代大功率（大面积芯片）三极管，减小封装体积，进一步降低成本；使用本集成三极管，有利于减小PCB板面积，减小电子产品体积；广泛适用于电源电压为200-240V的半桥电路小功率照明电器中。

附图说明

图1为本实用新型较佳实施例的横截面示意图；

图2为本实用新型较佳实施例的电路原理图；

图3为本实用新型较佳实施例的内部立体结构示意图；

图4为本实用新型较佳实施例外观示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型揭示了一种多集成三极管，将已集成电阻的三极管和连接三极管基极与发射极的二极管封装在一起。封装后的效果如图4所示，一个封装胶壳1外露三条引脚7、8、9。

参看图1示出的本实用新型较佳实施例横截面示意图，其包括：封装胶壳1，封装在封装胶壳内的三极管芯片2和二极管芯片3；所述三极管芯片包含发射极层2e、包在发射极层周边和底面的基极层2b、包在基极层周边和底面的高阻层2n、贴在高阻层底面的集电极层2c，所述发射极层、基极层、高阻层的顶面平齐并在其上设有绝缘层2d，位于基极层上方的绝缘层中设有通孔、该通孔内设有用于连接基极层的基电极2b1，发射极层中设有一个贯通的基区孔22，该基区孔上方的绝缘层中设有通孔、该通孔和基区孔内设有用于连接发射极层的发射电极2e1，发射电极在基区孔的底端连接发射极层、在基电极和发射电极之间的基极层中形成一个沟道电阻R，集电极层底部焊接第一焊接片4；所述二极管芯片包含由上而下叠置的阳极和阴极，该阴极底部焊接第二焊接片5，述阳极通过导线10连接所述发射电极，基电极2b1通过导线10与第二焊接片5焊接，发射电极通过导线10与第三焊接片6焊接，第一、第二、第三焊接片分别连接一端伸出封装胶壳之外的第一、第二、第三引脚7、8、9。