[发明专利]化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种化学气相沉积设备。

背景技术

随着电子技术的发展，为了缩小电路的尺寸，常采用增加沉积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。这些增加的层在器件、电路中起着各种不同的作用，主要可作为栅电极、多层布线的层间绝缘膜、金属布线、电阻、表面钝化层等。这些增加的层中沉积薄膜的质量将对器件的电性能和机械性能产生影响，并进而影响到器件的成品率及产量。

薄膜沉积的方法通常包括化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)法和物理气相沉积(PVD，PhysicalVapor Deposition)两大类。其中，化学气相沉积是将含有薄膜所需的原子或分子的气体混合物注入反应室，并在所述反应室中发生反应，其原子或分子沉积在基板表面，聚集形成薄膜的过程。化学气相沉积因其工艺较为简单、不需高真空、便于制备复合产物、沉积速率高，以及沉积的各种薄膜具有良好的阶梯覆盖性能等优点在半导体器件的制造中被广泛使用。

请参阅图1，并结合图2，图1、图2所示为一种现有的化学气相沉积设备。如图1、图2所示，该化学气相沉积设备包括：反应腔室1、设于所述反应腔室1内的加热平台2、设于所述加热平台2下方的加热支撑座3、设于所述加热平台2下方的加热平台支撑杆4，在加热平台2上设有用于定位放置在加热平台2上的基板的定位销孔7，位于所述加热平台支撑杆4下方连接至加热平台2的加热线7、及热电偶8。沉积时，将反应气体喷洒至放置于所述加热平台2上的基板表面上，通过所述加热线7、及热电偶8对加热平台2加热，从而在所述基板表面沉积形成薄膜。其中，如图2所示，所述加热平台2、及加热平台支撑杆4为一体式结构，在拆卸加热平台2时需要连带加热平台支撑杆4整体拆卸，拆卸困难，并且经常拆装容易对底部密封点5造成损害，造成底部密封性变差，同时加热平台支撑杆4易出现磨损、倾斜，造成部件损坏，不利于化学气相沉积设备的维护及清洗整形。

发明内容

本发明的目的在于提供一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备的加热平台可单独拆卸，防止化学气相沉积设备的部件损坏，便于化学气相沉积设备维护及清洗整形，保证化学气相沉积设备沉积的薄膜的质量。

为实现上述目的，本发明提供了一种化学气相沉积设备，包括：反应腔体、设于所述反应腔体内的加热平台、设于所述加热平台下方的加热平台支撑座、设于所述加热平台支撑座下方的加热平台支撑杆；

所述加热平台与加热平台支撑座分别对应设有至少2个螺纹孔，通过中空内六角螺栓将加热平台固定于加热平台支撑座上；

所述加热平台与加热平台支撑座还对应设有至少2个卡套结构，通过所述卡套结构将加热线、及热电偶连接至加热平台。

所述化学气相沉积设备还包括分别对应设于加热平台、及加热平台支撑座的两个接触面上的密封槽，所述密封槽内对应设有密封圈。

所述加热平台支撑座、及加热平台支撑杆为一体式结构，共同支撑所述加热平台。

所述中空内六角螺栓包括：外壁、与外壁相对的内壁、由内壁围成的通孔、设于所述通孔底部的内六角凹槽。

所述中空内六角螺栓的外壁为铝合金材料，内壁为陶瓷材料。

所述通孔用于放置用于基板定位的定位销。

所述卡套结构包括：设于所述加热平台上的凹槽、及与所述卡套相对应的设置在所述加热平台支撑座上的接线柱，所述接线柱的上端高于加热平台支撑座的上平面。

所述接线柱内连接有加热线或热电偶。

所述凹槽的内壁为陶瓷材料，所述接线柱位于所述加热平台支撑座中的该部分的外围设有一层陶瓷壁。

本发明的有益效果：本发明提供了一种化学气相沉积设备，通过在加热平台及加热平台支撑板上分别设置对应的螺纹孔，通过该螺纹孔用中空的内六角螺栓将加热平台及加热平台支撑板固定在一起，使得该加热平台能够单独拆卸，通过卡套结构将加热线及热电偶连接至加热平台，实现该加热平台的加热功能，克服了现有设备中拆卸加热平台时需要同时拆卸加热平台支撑杆，从而引起化学气相沉积设备的底部密封性变差，加热平台支撑杆损坏的问题，便于化学气相沉积设备维护及清洗整形，保证化学气相沉积设备沉积的薄膜的质量。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。