[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示基板和显示装置有效

申请号：	201410842510.3	申请日：	2014-12-30
公开（公告）号：	CN104465786B	公开（公告）日：	2018-09-04
发明（设计）人：	李正亮;姚琪;曹占锋	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	彭瑞欣;陈源
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	显示装置薄膜晶体管源漏极显示基板阻挡层制造器件特性源层阻挡金属扩散
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【说明书】：

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示基板和显示装置。该薄膜晶体管包括栅极、有源层和源漏极，所述栅极和/或所述源漏极之上设置有第一阻挡层。本发明提供的薄膜晶体管及其制造方法、显示基板和显示装置的技术方案中，栅极和/或源漏极之上设置有第一阻挡层，该第一阻挡层可阻挡栅极和/或源漏极中的金属向上扩散，避免了对显示装置中器件特性的影响，从而提高了显示装置中器件的特性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示基板和显示装置。

背景技术

在显示技术领域，随着大尺寸及高驱动频率显示装置的日益普及，低电阻铜(Cu)配线技术越来越受关注。由于Cu薄膜存在与玻璃基板以及半导体层的接触附着力差和易扩散的问题，因此在显示装置中通常采用与玻璃以及半导体层接触好且具有阻挡性的材料作为缓冲层，即在Cu薄膜的下方设置缓冲层。

为了提升显示装置的产能和良率，各个面板厂商均进行了Cu技术的开发，目前显示装置主要采用的技术为刻蚀阻挡层(Etch Stop Layer，简称：ESL)技术和背沟道刻蚀(Back Channel Etched,简称：BCE)技术。在采用上述两种技术时，由于位于Cu薄膜下方的阻挡层的阻挡作用，Cu薄膜中的Cu薄膜不会向下方扩散。但是，Cu薄膜在一定的条件下(例如：在一定的温度下)会向上扩散。当Cu薄膜作为栅极时，Cu薄膜中的Cu会向上扩散到栅极上方的栅绝缘层甚至有源层；当Cu薄膜作为源漏极时，Cu薄膜中的Cu会向上扩散到源漏极上方的钝化层，影响到背沟道。

综上所述，现有技术中Cu薄膜中的Cu向上扩散，从而影响了显示装置中器件的特性。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示基板和显示装置，用于提高显示装置中器件的性能。

为实现上述目的，本发明提供了一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层和源漏极，所述栅极和/或所述源漏极之上设置有第一阻挡层。

可选地，所述第一阻挡层的材料为氧化金属合金。

可选地，所述氧化金属合金包括CuCaO或CuMgAlO。

可选地，所述第一阻挡层包括第一子缓冲层和第一子阻挡层，所述第一子阻挡层位于所述第一子缓冲层之上。

可选地，所述第一子缓冲层的厚度包括至所述第一子阻挡层的厚度包括至

可选地，所述第一子缓冲层的材料为金属合金，所述第一子阻挡层的材料为氧化金属合金。

可选地，所述金属合金为CuCa，所述氧化金属合金为CuCaO；或者，所述金属合金为CuMgAl，所述氧化金属合金为CuMgAlO。

可选地，所述栅极的材料为Cu，所述源漏极的材料为Cu。

可选地，所述栅极和/或所述源漏极之下设置有第二阻挡层。