[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示基板和显示装置有效
| 申请号： | 201410842510.3 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104465786B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李正亮;姚琪;曹占锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 薄膜晶体管 源漏极 显示基板 阻挡层 制造 器件特性 源层 阻挡 金属 扩散 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、有源层和源漏极，所述栅极和/或所述源漏极之上设置有第一阻挡层，所述第一阻挡层包括第一子缓冲层和第一子阻挡层，所述第一子缓冲层的材料为金属合金。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一子阻挡层位于所述第一子缓冲层之上。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一子缓冲层的厚度包括至所述第一子阻挡层的厚度包括至
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一子阻挡层的材料为氧化金属合金。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属合金为CuCa，所述氧化金属合金为CuCaO；或者，所述金属合金为CuMgAl，所述氧化金属合金为CuMgAlO。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极的材料为Cu，所述源漏极的材料为Cu。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极和/或所述源漏极之下设置有第二阻挡层。
8.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板和位于所述衬底基板之上的权利要求1至7任一所述的薄膜晶体管。
9.一种显示装置，其特征在于，包括相对设置的对置基板和权利要求8所述的显示基板。
10.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
形成栅极；
形成有源层；
形成源漏极，所述栅极和/或所述源漏极之上设置有第一阻挡层，所述第一阻挡层包括第一子缓冲层和第一子阻挡层，所述第一子缓冲层的材料为金属合金。
11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅极之上设置有第一阻挡层时，所述形成栅极之后包括形成第一阻挡层，所述形成有源层包括在所述栅极之上的第一阻挡层之上形成有源层；
所述源漏极之上设置有第一阻挡层时，所述形成源漏极包括在有源层的上方形成源漏极，所述形成源漏极之后包括形成第一阻挡层。
12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述形成第一阻挡层包括：
沉积缓冲材料层；
向缓冲材料层通入氧气使得部分缓冲材料层发生氧化反应以形成第一子阻挡层，未发生氧化反应的部分缓冲材料层形成所述第一子缓冲层。
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