[发明专利]OTP器件的结构和制作方法

权利要求书

1.OTP器件的制作方法，所述OTP器件的硅化阻挡层最小间隔不小于0.42μm，其特征在于，步骤包括：

1)用常规工艺在衬底上形成阱、源、漏、浅沟槽隔离、栅氧、选择栅、浮栅、栅极多晶硅和侧墙；

2)在步骤1)的基础上淀积等离子增强-四乙氧基硅烷膜，通过I-line光刻机光刻和刻蚀把硅化阻挡层以外区域的等离子增强-四乙氧基硅烷膜刻蚀掉；

3)在步骤2)的基础上进行钴化金属工艺，在硅露出区域形成钴化金属；

4)在步骤3)的基础上再次淀积等离子增强-四乙氧基硅烷膜，形成浮栅数据存储保护膜，且使等离子增强-四乙氧基硅烷膜覆盖衬底上的整个区域；

5)在步骤4)的基础上淀积层间介质膜，化学机械研磨，用I-line光刻机进行光刻和刻蚀形成接触孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)的刻蚀分两步进行：先干法刻蚀，将等离子增强-四乙氧基硅烷膜的厚度刻蚀至再湿法刻蚀，把剩余的等离子增强-四乙氧基硅烷膜完全刻蚀掉。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，钴化金属工艺方法为：淀积金属钴，进行第一次快速灯退火，用湿法去除未反应的钴，再进行第二次快速灯退火。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一次快速灯退火是在510℃温度下，在氮气氛围中退火30秒；第二次快速灯退火是在866℃温度下，在氮气氛围中退火30秒。

5.用权利要求1至4任何一项所述方法制作的OTP器件的结构，其特征在于，由两个PMOS晶体管串联构成，其中一个PMOS晶体管为选择栅，另一个PMOS晶体管为浮栅；所述选择栅和浮栅上覆盖有等离子增强-四乙氧基硅烷膜。

6.根据权利要求5所述的OTP器件的结构，其特征在于，所述选择栅和浮栅为自对准多晶硅化物。

7.根据权利要求5所述的OTP器件的结构，其特征在于，所述选择栅和浮栅之间的源漏区为自对准多晶硅化物。