[发明专利]一种扇出型圆片级芯片封装方法

权利要求书

1.一种扇出型圆片级芯片封装方法，包括如下步骤：用填料将芯片(8)、导线(9)、导电基材(2)以及载板(1)进行包封形成塑封层(4)；去除载板(1)；在导电基材(2)的底部制作导电层(6)。

2.如权利要求1所述的扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于：在形成塑封层(4)之前，还包括步骤：将芯片(8)正装安装固定在导电基材(2)上，并设置导线(9)连接芯片(8)和键合层(3)。

3.如权利要求2所述的扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于：在将芯片(8)正装安装固定在导电基材(2)上之前，还包括步骤：在导电基材(2)上形成键合层(3)。

4.如权利要求3所述的扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于：在导电基材(2)上形成键合层(3)之前，还包括步骤：在载板(1)上形成导电基材(2)，去除膜料。

5.如权利要求4所述的扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于：在载板(1)上形成导电基材(2)的步骤为：在载板(1)上形成导电基材(2)；在载板(1)的导电基材(2)一面进行贴膜，经过曝光显影处理去除部分膜料使部分导电基材裸露，并通过曝光显影处理去除裸露部分导电基材(2)。

6.如权利要求4所述的扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于：在载板(1)上形成导电基材(2)的步骤为：在载板(1)上进行贴膜，经过曝光显影处理去除部分膜料使膜料成一定的形状分布；在载板(1)上形成导电基材(2)，并通过曝光显影处理去除部分导电基材(2)。

7.如权利要求1‐6任意一项所述的扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于：所述电介层(5)不完全覆盖导电基材(2)。

8.如权利要求7所述的扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于：在电介层(5)和导电基材(2)之间填充导电层(6)，使得导电层(6)和导电基材2相连。

9.如权利要求7所述的扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于：继续在塑封层(4)底部填充电介层(5)，电介层(5)不完全覆盖导电基材(2)，在电介层(5)和导电基材(2)之间填充导电层(6)以形成多层导电层(6)，多层导电层(6)紧密相连。

10.如权利要求9所述的扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于：还包括步骤：在塑封层(4)底部对封装芯片(8)进行减薄、切割，形成单颗的扇出型圆片级芯片封装结构，在底部填充的导电层(6)底部位置设置锡球(7)。

11.一种扇出型圆片级芯片封装方法，包括如下步骤：在载板(1)上布置焊盘；将芯片(8)倒装固定于焊盘上；用填料将芯片(8)、焊盘以及载板(1)包封形成塑封层(4)；去除载板1；在塑封层(4)底部填充电介层(5)，电介层(5)不完全覆盖焊盘，在电介层(5)和焊盘之间填充导电层(6)以形成多层导电层6，多层导电层(6)紧密相连。

12.如权利要求11所述的扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于：还包括步骤：在导电层(6)底部设置焊接锡球(7)。