[发明专利]鳍式场效应晶体管及其鳍的制造方法

权利要求书

1.一种鳍的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体衬底；

刻蚀半导体衬底以形成鳍，包括：在衬底上依次形成第一硬掩膜和非晶硅层，所述第一硬掩膜的厚度范围为所述非晶硅层的厚度范围为图案化非晶硅层；以非晶硅层为掩蔽，图案化第一硬掩膜，并去除非晶硅层；以第一硬掩膜为掩蔽，刻蚀衬底以形成鳍，并去除第一硬掩膜；

图案化非晶硅层的步骤包括：在非晶硅层上形成光刻胶层；以光刻胶层为掩蔽，图案化非晶硅层，同时，调整侧向刻蚀能力，以对光刻胶层和非晶硅层进行侧向微缩；去除光刻胶层；

至少进行一次氧化去除工艺，氧化去除工艺包括：进行氧化工艺，以形成氧化层；去除氧化层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用热氧化工艺，以形成氧化层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，湿法腐蚀去除氧化层。

4.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，采用如权利要求1-3中任一项所述的方法形成的鳍。