[发明专利]MEMS器件的制作方法及MEMS器件在审
| 申请号： | 201410785492.X | 申请日： | 2014-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105752928A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 阮炯明;张冬平;万宇;郑超;莫福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 制作方法 | ||
1.一种MEMS器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
形成基体结构，所述基体结构包括第一锗层，位于所述第一锗层上的锗化硅层，贯穿所述锗化硅层的沟槽，以及位于所述沟槽的侧壁和所述锗化硅层的上表面上的第二锗层；
形成覆盖所述沟槽中的所述第一锗层的所述保护膜层；
刻蚀去除位于所述沟槽的侧壁上的第二锗层；
去除所述保护膜层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述沟槽的底壁低于所述第一锗层的上表面；在形成所述保护膜层的步骤中，形成上表面高于所述第一锗层的上表面的所述保护膜层。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，形成所述保护膜层的步骤包括：
在所述沟槽中以及所述第二锗层上形成保护预备膜层；
在所述保护预备膜层上形成具有开口的第一光刻胶层；
沿所述第一光刻胶层中的开口刻蚀所述保护预备膜层，并将位于所述沟槽中的保护预备膜层作为所述保护膜层。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，刻蚀所述保护预备膜层的工艺为各向异性刻蚀工艺。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在形成所述保护膜层之后，去除剩余的所述保护预备膜层和所述第一光刻胶层。
6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述保护预备膜层为抗反射涂层。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述沟槽具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁；在刻蚀去除所述第二锗层的步骤中，去除位于所述第一侧壁上的所述第二锗层。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，刻蚀去除所述第二锗层的步骤包括：
在位于所述沟槽的第二侧壁以及所述锗化硅层的上表面的所述第二锗层上形成第二光刻胶层；
刻蚀去除位于所述第一侧壁上的所述第二锗层；
去除所述第二光刻胶层。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，刻蚀去除所述第二锗层的工艺为各向同性刻蚀工艺。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述基体结构的步骤中，还包括形成阻挡层，并在所述阻挡层上形成所述第一锗层。
11.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件由权利要求1至10中任一项所述的制作方法制作而成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410785492.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
