[发明专利]一种Nd掺杂CoZr基高频软磁薄膜及其制备无效
| 申请号： | 201410776723.0 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104465017A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 徐锋;尹媛 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01F10/12 | 分类号： | H01F10/12;H01F41/18 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红;朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nd 掺杂 cozr 高频 薄膜 及其 制备 | ||
【权利要求书】：
1.一种Nd掺杂CoZr基高频软磁薄膜，其特征在于，所述薄膜具体成分为Co100-x-yZrxNdy，其中，x＝9～18,y＝1.5～3。
2.如权利要求1所述的Nd掺杂CoZr基高频软磁薄膜，其特征在于，所述的薄膜厚度为100nm。
3.一种Nd掺杂CoZr基高频软磁薄膜的制备，其特征在于，包括如下步骤：
第一步：将至少两片Zr薄片和两片Nd薄片，分别对称放置于Co靶上，构成复合靶；
第二步：利用高真空磁控溅射系统，抽真空至2×10-5Pa，在Ar气溅射气压0.4Pa、流量16SCCM、功率100W的条件下，在Si衬底上溅射薄膜，溅射过程中施加磁场。
4.如权利要求3所述的Nd掺杂CoZr基高频软磁薄膜的制备，其特征在于，Zr薄片面积为5mm×5mm×0.5mm，数目为2～8片。
5.如权利要求3所述的Nd掺杂CoZr基高频软磁薄膜的制备，其特征在于，Nd薄片面积为5mm×2.5mm×0.5mm，数目为2～4片。
6.如权利要求3所述的Nd掺杂CoZr基高频软磁薄膜的制备，其特征在于，Co靶为直径75mm的圆形靶。
7.如权利要求3所述的Nd掺杂CoZr基高频软磁薄膜的制备，其特征在于，施加磁场采用永磁体，磁场强度为200Oe。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学，未经南京理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410776723.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：便携式无源消磁装置
- 下一篇：一种压布机构的电磁铁驱动电路
