[发明专利]LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201410738682.6 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105742453A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
在所述衬底之上依次包括缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层，其中，所述透明导电层为阶梯状透明导电层；
P型电极，位于所述阶梯状透明导电层的最上端并与透明导电层电连接；
N型电极，位于所述阶梯状透明导电层的最下端的旁侧并与所述N型半导体层电连接。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层包括多个台阶，所述多个台阶的边缘为圆弧形。
3.如权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述多个台阶呈轴对称，对称轴为P型电极和N型电极中心的连线。
4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层包括多个台阶，所述台阶的高度为8-25μm，所述台阶的宽度为3-10μm。
5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：
钝化层，所述钝化层覆盖在透明导电层和N型电极层的裸露区域。
6.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上依次外延生长缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层以获得外延片；
在所述外延片上制取PN结台阶；
在制取所述PN结台阶之后的外延片上制备透明导电层，所述透明导电层为阶梯状透明导电层；
在所述阶梯状透明导电层的最上端形成P电极；
在PN结台阶上形成N电极。
7.如权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述透明导电层包括多个台阶，所述多个台阶的边缘为圆弧型。
8.如权利要求7所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述多个台阶呈轴对称，对称轴为P型电极和N型电极中心的连线。
9.如权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述透明导电层包括多个台阶，所述台阶的高度为8-25μm，所述台阶的宽度为3-10μm。
10.如权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括：
在透明导电层和N型电极层的裸露区域形成钝化层。
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