[发明专利]晶片加工装置有效
申请号: | 201410738007.3 | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN104701219B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 小幡创 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/78;B28D5/00;B23K26/53 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 装置 | ||
1.一种晶片加工装置,其对晶片进行分割,
该晶片加工装置具有:
载置台,其载置有通过将聚光点定位到该晶片的内部并沿着分割预定线照射透过该晶片的波长的脉冲激光而在内部形成了改质层的晶片;
水槽,其使载置于该载置台上的该晶片没入到清洗水中;以及
超声波供给单元,其对没入到该清洗水中的该晶片供给超声波,
所述超声波供给单元具有:
超声波振荡部,其产生超声波;以及
可变器,其改变由该超声波振荡部产生的超声波的频率和输出,
该可变器使清洗所述晶片时由该超声波振荡部产生的超声波的频率和输出成为与分割所述晶片时由该超声波振荡部产生的超声波的频率和输出不同的频率和输出,
通过由该超声波供给单元供给的超声波,沿着该分割预定线分割该晶片而使其成为小片,从而形成多个芯片,并清洗所形成的该芯片。
2.根据权利要求1所述的晶片加工装置,其中,
所述载置台具有贯通孔,该贯通孔上下贯通载置所述晶片的载置面,
所述超声波供给单元具有超声波振荡部,该超声波振荡部以离开该载置面的方式配置于该载置面的下方,
由该超声波振荡部产生的超声波通过该贯通孔,从下表面侧对该晶片进行供给。
3.根据权利要求1所述的晶片加工装置,其中,
所述超声波供给单元具有超声波振荡部,该超声波振荡部以与所述水槽内的水面接触的方式配置于所述载置台的上方,
由该超声波振荡部产生的超声波从上表面侧对所述晶片进行供给。
4.根据权利要求1所述的晶片加工装置,其中,
所述载置台具有贯通孔,该贯通孔上下贯通载置所述晶片的载置面,
所述超声波供给单元具有:
第1超声波振荡部,其以离开该载置面的方式配置于该载置面的下方;以及
第2超声波振荡部,其以与所述水槽内的水面接触的方式配置于所述载置台的上方,
由该第1超声波振荡部产生的超声波通过该贯通孔,从下表面侧对该晶片进行供给,由该第2超声波振荡部产生的超声波从上表面侧对该晶片进行供给。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造