[发明专利]氮化硅膜制备装置

权利要求书

1.氮化硅膜制备装置，包括设置有炉门(1)的真空沉积室(2)，真空沉积室(2)内设有石墨舟(3)，硅片放置于石墨舟(3)上，真空沉积室(2)上设有进气口(4)与排气口(5)，所述进气口(4)上连接有用于通入制程气体的进气管(6)，所述排气口(5)上连接有排放管(8)，排放管(8)末端连接有真空泵(9)，真空泵(9)的进口与排放管(8)的出口相连，真空泵(9)的出口连接有尾排管(10)，其特征在于：所述石墨舟(3)下方设置有用于承载石墨舟(3)的托杆(11)，所述托杆(11)朝向炉门(1)的一端穿过炉门(1)，所述炉门(1)固定在托杆(11)上，所述炉门(1)内侧的中央固定有铜电极(21)，所述石墨舟(3)朝向炉门(1)的一端设置有电极插孔(22)，所述铜电极(21)的位置与电极插孔(22)的位置相对应，所述托杆(11)伸出炉门(1)的一端固定有托架(23)，所述托架(23)通过连接杆固定在滑动块(24)上，所述滑动块(24)固定在滑竿(25)上，所述滑动块(24)、滑竿(25)均位于炉门(1)边缘的外侧，所述滑竿(25)的轴线与真空沉积室(2)轴线互相平行，所述滑动块(24)上连接有使滑动块(24)沿滑竿(25)移动的驱动装置，所述真空泵(9)的进口与排气口(5)之间设置有旁路管(14)，所述旁路管(14)上设置有用于使旁路管(14)导通或关闭的旁通阀(15)，所述排放管(8)上设置有用于使排放管(8)导通或关闭的工艺阀(16)，所述排放管(8)的内径为50mm-70mm，所述旁路管(14)的内径为15mm-25mm。

2.如权利要求1所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：所述炉门(1)包括石英炉门(101)和位于石英炉门(101)外侧的支撑体(102)组成，所述支撑体(102)采用生铁制作而成，所述支撑体(102)的表面开有多个减轻孔(103)。

3.如权利要求2所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：所述进气管(6)与进气口(4)之间设置有气体混合装置(12)，所述气体混合装置(12)包括芯体(121)、壳体(122)，芯体(121)设置在壳体(122)内，芯体(121)表面开有螺旋槽(123)，所述螺旋槽(123)的内壁与壳体(122)的内壁围成封闭的螺旋式气体通道，所述螺旋式气体通道的一端与进气管(6)相连，另一端与真空沉积室(2)上设置有的进气口(4)相连，所述壳体(122)的外表面设置有加热装置。

4.如权利要求3所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：所述加热装置包括一层加热棉(124)与一层绝热布(125)，所述加热棉(124)与绝热布(125)之间设置有加热电阻丝(126)，所述加热电阻丝(126)与电源相连。

5.如权利要求4所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：所述真空泵(9)的出口与尾排管(10)之间设置有硅烷燃烧室(13)。

6.如权利要求5所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：在真空泵(9)的出口与尾排管(10)之间设置一个内径为150mm-300mm不锈钢圆筒形成所述的硅烷燃烧室(13)。

7.如权利要求6所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：所述圆筒的外表面设置有多个紧固圈，相邻的紧固圈之间通过金属条连接在一起。

8.如权利要求7所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：所述排放管(8)的内径为60mm，所述旁路管(14)的内径为20mm。

9.如权利要求8所述的氮化硅膜制备装置，其特征在于：所述工艺阀(16)、旁通阀(15)均为电磁阀，所述工艺阀(16)上连接有第一触发式开关(17)，所述旁通阀(15)上连接有第二触发式开关(18)，所述真空沉积室(2)内设置有真空计(19)，还包括控制器(20)，所述第一触发式开关(17)、第二触发式开关(18)、真空计(19)分别与控制器(20)电连接。