[发明专利]平坦化半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201410697179.0 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105702573B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 方伟南;陈建勋;庄子仪 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平坦 半导体 装置 方法 | ||
1.一种平坦化半导体装置的方法，包括以下步骤：
提供一基板，其上方形成一终止层；
形成一沟槽，在该基板中；
沉积一第一半导体层，均匀覆盖该终止层以及该沟槽，并在该沟槽中呈U型；
沉积一第二半导体层，填满该沟槽并且覆盖该第一半导体层；以及
进行一化学机械研磨程序，直到该终止层被曝露出来；
其中该化学机械研磨程序对于该第一半导体层的移除速率高于对于该第二半导体层的移除速率。
2.如权利要求1所述的方法，还包括在形成该终止层之前的一步骤：形成一衬垫氧化层于该基板上。
3.如权利要求1所述的方法，还包括在沉积该第一半导体层之前的一步骤：形成一内衬氧化层，均匀覆盖该终止层以及该沟槽。
4.如权利要求3所述的方法，还包括在形成该内衬氧化层之后的一步骤：各向异性地移除该终止层上的该内衬氧化层。
5.如权利要求4所述的方法，其中该终止层上的该内衬氧化层以等离子体辅助蚀刻法移除。
6.如权利要求1所述的方法，其中该终止层包括氮化硅。
7.如权利要求1所述的方法，其中该终止层的厚度为1500至
8.如权利要求7所述的方法，其中该终止层的厚度为
9.如权利要求1所述的方法，其中该沟槽的宽度为1至5μm。
10.如权利要求9所述的方法，其中该沟槽的宽度为2.8μm。
11.如权利要求1所述的方法，其中该第一半导体层具有未掺杂的多晶硅。
12.如权利要求11所述的方法，其中该化学机械研磨程序所使用的研磨液包括胶质二氧化硅、有机化学添加剂以及水。
13.如权利要求12所述的方法，其中该化学机械研磨程序对于该第一半导体层的移除率为70至
14.如权利要求13所述的方法，其中化学机械研磨程序对于该第一半导体层的移除率为
15.如权利要求1所述的方法，其中该第二半导体层具有掺杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅。
16.如权利要求15所述的方法，其中该化学机械研磨程序所使用的研磨液包括胶质二氧化硅、有机化学添加剂以及水。
17.如权利要求16所述的方法，其中该化学机械研磨程序对于该第二半导体层的移除率为30至
18.如权利要求17所述的方法，其中化学机械研磨程序对于该第二半导体层的移除率为
19.如权利要求1所述的方法，其中该第一半导体层的厚度为1000至
20.如权利要求19所述的方法，其中该第一半导体层的厚度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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