[发明专利]一种显示基板、其测试方法及制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、其测试方法及制备方法。

背景技术

目前，液晶显示面板(LCD，Liquid Crystal Display)、电致发光(EL，electroluminescence)显示面板以及电子纸等显示装置已为人所熟知。在这些显示装置中，用于实现显示功能的显示基板上具有控制各像素开关的薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)，薄膜晶体管作为各像素的开关控制数据线上的数据信号输入到各像素中，以实现图像显示的功能。然而，在显示基板的实际生产过程中，由于工程能力的不稳定，生产出的不同显示基板之间通常会有TFT特性差异，相同的显示基板之间的不同区域也会有TFT特性差异，当技术人员不知道是哪一工艺步骤出现问题时，就可以选取一批新的玻璃基板，分别在不同工艺步骤之前将玻璃基板旋转，然后进行工艺制作，在制作完成后，分别对旋转后的显示基板进行TFT特性测试，将旋转前与旋转后的TFT特性测试参数进行比较，通过对比发现显示基板制造工艺中工艺设备的问题，进而改善工艺制作，提升产品品质。

现有的TFT阵列基板制作工艺中，对TFT特性进行监控测量的方式为在显示基板的周边区域制作与像素区域相同的TFT，TFT的栅极、源极和漏极分别与测试端子G、S、D相连，另外通常还设置有一个空置的测试端子E，如图1a和1b所示，其中在对TFT进行特性测试时，测试端子G通常加载-30V～30V的电压信号，测试端子S加载15V恒定信号，测试端子D收集流过TFT的电流变化，空置的测试端子E不加载信号，测试设备的探针位置固定，分布于正方形的四个顶点的位置，相互间隔700um。在对TFT进行特性测量时，旋转前利用测试设备中的探针向如图1a中所示的测试端子G和测试端子S两个端子加载信号，测试端子D将收集的电流信号通过探针传递给测试设备，测试设备收集测试数据；同理，显示基板旋转180度后测试设备中的探针向如图1b中所示的测试端子G和测试端子S两个端子加载信号，测试端子D将收集的电流信号通过探针传递给测试设备，测试设备收集测试数据，技术人员对显示基板旋转前与旋转后的测试数据进行比较，找出工艺设备的问题，从而改善制作工艺，提升产品品质。

然而，上述测试过程中，显示基板旋转前与旋转后分别如图1a和1b所示，由于TFT随着显示基板的旋转也发生了旋转，其测试端子也相应发生了旋转，而测试设备的四个探针位置是固定的，因此在对TFT旋转前和旋转后的测试中，需要更改测试探针的位置以及加载的信号，才能实现正常的TFT特性测试，这样测试使得测试工作比较繁琐、耗时。

因此，如何简化显示基板的测试程序，从而提高显示基板的测试效率，进而可以快速发现显示基板制作工艺中的问题，改善工艺制作过程，提升产品品质，是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种显示基板、其测试方法及制备方法，用以解决现有技术中存在的显示基板的测试工作比较繁琐、耗时的问题。

本发明实施例提供了一种显示基板，具有至少一个测试区，在所述测试区内包括：大小和极性相同的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管、第一测试端子、第二测试端子、第三测试端子和第四测试端子；其中，

所述第一测试端子与所述第一薄膜晶体管的栅极相连，所述第二测试端子分别与所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的漏极相连，所述第三测试端子与所述第二薄膜晶体管的栅极相连，所述第四测试端子分别与所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的源极相连。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述显示基板中，所述测试区的形状为矩形；

所述第一测试端子和第三测试端子分别位于所述矩形中呈对角的两个顶点，所述第二测试端子和第四测试端子分别位于所述矩形中呈对角的两个顶点。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述显示基板中，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极同层设置；所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层同层设置；所述第一薄膜晶体管的源漏电极和所述第二薄膜晶体管的源漏电极同层设置。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述显示基板中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一测试端子和所述第三测试端子同层设置。

在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述显示基板中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源漏电极与所述第二测试端子和所述第四测试端子同层设置。