[发明专利]绿色开关电源芯片的自适应驱动电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，特别涉及一种绿色开关电源芯片的自适应驱动电路。

背景技术

对于MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)和BJT管(双极结型晶体管)，由于工作原理的不同，MOS管为电压控制型，BJT管为电流控制型。因此，一般情况下在开关电源电路中，控制芯片的驱动方式针对功率开关管的类型(MOS管或BJT管)会有不同的设计。但是电流模式的驱动方式可以兼容驱动两种开关管，因此优势很大。由于MOS开关管的类型很多，因此其栅电容的大小也差异巨大。对于传统的电流模式驱动电路中，其驱动电流被设计成固定值，那么在驱动不同类型的开关管时，受负载差异的影响，系统延时往往会有很大的差异。

发明内容

本发明的目的在于提供一种绿色开关电源芯片的自适应驱动电路，缩小了不同负载下电流模式的驱动方式带来的系统延时的差异。

为了达到上述目的，本发明提供一种绿色开关电源芯片的自适应驱动电路，包括：延时器电路、驱动偏置电路、检测电路、钳位电路以及驱动电流电路；

所述检测电路的输出端与所述延时器电路的输入端连接，所述延时器电路通过检测所述检测电路的输出端的信号为高电平的时间来检测驱动负载的大小；

所述延时器电路的输出端连接驱动偏置电路，所述驱动偏置电路用于根据所述驱动负载的大小为所述驱动电流电路提供不同的偏置电压；

所述驱动电流电路连接钳位电路，所述钳位电路用于限制驱动电流电路输出端电压的最大值；

所述驱动电流电路用于根据所述不同的偏置电压，调节所述驱动电流电路输出端电流的大小；

所述检测电路与所述钳位电路和所述驱动电流电路连接，所述检测电路用于检测所述驱动电流电路输出端的电压值，并传输至所述延时器电路。

其中，所述驱动偏置电路包括：第一反相器、电流源、第一开关管、第二开关管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管；其中，

所述延时器电路的输出端一方面与所述第一反相器的输入端连接，另一方面与所述第一开关管的栅极连接，所述第一反相器的输出端与所述第二开关管的栅极连接；所述第一开关管的一端与所述第二PMOS管的栅极和漏极连接后与所述电流源的正极连接，所述电流源的负极接地，所述第二PMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极和栅极连接，所述第一PMOS管的源极与一电源电压连接；所述第二PMOS管的栅极一方面与所述第六PMOS管的栅极连接，另一方面与所述第八PMOS管的栅极连接；

所述第一开关管的另一端分别与所述第二开关管的漏极和所述第四PMOS管的栅极连接，所述第二开关管的源极与所述电源电压连接，所述第四PMOS管的源极与所述第三PMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的源极与所述电源电压VDD连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接；所述第六PMOS管的源极与所述第五PMOS管的漏极连接，所述第五PMOS管的源极与所述电源电压连接，所述第五PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接；所述第八PMOS管的源极与所述第七PMOS管的漏极连接，所述第七PMOS管的源极与所述电源电压连接，所述第七PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接；

所述第四PMOS管的漏极与所述第六PMOS管的漏极连接后与所述第一NMOS管短接的栅极和漏极连接并输出第一偏置电压，所述第一NMOS管的源极接地；所述第八PMOS管的漏极与所述第二NMOS管短接的栅极和漏极连接并输出第二偏置电压，所述第二NMOS管的源极接地。

其中，所述驱动电流电路包括：第二反相器、第一电阻、第一二极管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管；其中，