[发明专利]触头、半导体试验装置以及半导体试验方法

权利要求书

1.一种与作为被试验物的半导体装置的端子接触并被按压，而使电流流过该半导体装置的半导体装置试验用的触头，其特征在于，具备：

接触部，其具有与该半导体装置的端子接触的平坦的接触面，和

变形部，其在与该半导体装置的端子接触并被按压时弹性变形，

所述变形部为柱状，

在所述变形部设有多个沿与所述按压的方向相交的方向延长的狭缝，

所述多个狭缝之中，第一狭缝与第二狭缝从所述柱状的周面相差180度的位置沿朝向所述柱状的中心的方向形成，在所述第一狭缝与所述第二狭缝之间形成的狭缝中相邻的狭缝从所述周面相差90度或180度的位置沿朝向所述柱状的中心的方向形成，所述第一狭缝是所述多个狭缝之中最接近所述接触面的狭缝，所述第二狭缝是所述多个狭缝之中与所述变形部的所述接触面侧相反的一侧最接近的狭缝。

2.根据权利要求1记载的触头，其特征在于，

所述缝狭与所述接触面平行。

3.根据权利要求1记载的触头，其特征在于，

所述接触部和所述变形部构成为一体。

4.根据权利要求1记载的触头，其特征在于，

由导电性金属材料构成。

5.根据权利要求4记载的触头，其特征在于，

所述导电性金属材料从由铍铜、不锈钢、碳钢构成的群中选择的至少一种而构成。

6.根据权利要求1记载的触头，其特征在于，

所述接触面由导电膜覆盖。

7.根据权利要求6记载的触头，其特征在于，

所述导电膜从由金、银、白金、锡、钨、镍、钯、碳构成的群中选择的至少一种而构成。

8.一种半导体试验装置，其特征在于，

具备权利要求1记载的触头。

9.根据权利要求8记载的半导体试验装置，其特征在于，

使所述触头与所述半导体装置的端子接触时的电阻值在3.5mΩ以下。

10.根据权利要求8记载的半导体试验装置，其特征在于，

以1.5kgf以上的力向所述半导体装置的端子按压所述触头。

11.一种半导体试验方法，其特征在于，

使用权利要求1记载的触头。

12.根据权利要求11记载的半导体试验方法，其特征在于，

使所述触头与所述半导体装置的端子接触时的电阻值在3.5mΩ以下。

13.根据权利要求11记载的半导体试验方法，其特征在于，

以1.5kgf以上的力向所述半导体装置的端子按压所述触头。