[发明专利]RFID防伪方法及芯片

说明书

RFID防伪方法及芯片，涉及RFID技术。本发明的方法包括下述步骤：检测静电击穿器件是否被击穿，然后将检测结果封装到RFID信号中，作为RFID发射信号内容的一部分，此时RFID发射信号中包含检测结果和来自存储单元的预存信息。本发明使芯片能通过静电击穿改变内部状态但又不至于损坏。在发生静电击穿后，即确保芯片无法被回收利用，又能确保原来的追溯信息能被正确读取。

技术领域

本发明涉及RFID技术。

背景技术

RFID技术即无线射频识别技术，是一种非接触的自动识别技术，其基本原理是利用射频信号和空间耦合(电感或电磁耦合)或雷达反射的传输特性，实现对被识别物体的自动识别。目前RFID芯片已经开始用于物品的防伪，例如高档白酒的防伪。为了防止造假者回收利用RFID防伪标签，通常是利用防揭、易碎技术在适当的时机将RFID标签破坏掉，但RFID芯片理论上仍可以被取出标签后回收利用，这是一种“机械破坏”方式的防伪。还有一种“电路破坏”方式的防伪，例如中国发明专利“利用静电击穿原理破坏瓶盖中RFID芯片的方法”(201210037777.6)公开了一种方法，用静电击穿的方法直接将RFID芯片破坏掉，解决了上述RFID芯片可以被回收的问题。但是，RFID芯片一旦被破坏，里面的信息完全无法读出，在某些场合会形成不便，例如，首次验证皆在销售商处进行，在不能排除销售商恶意修改读卡设备的情形下，消费者无法自行进行二次查验。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种能够多次验证的RFID防伪方法和芯片。

本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，RFID防伪方法，其特征在于，包括下述步骤：

检测静电击穿器件是否被击穿，然后将检测结果封装到RFID信号中，作为RFID发射信号内容的一部分，此时RFID发射信号中包含检测结果和来自存储单元的预存信息。

进一步的，所述静电击穿器件为反熔丝器件。更进一步的，所述静电击穿器件为MOS管。

本发明还提供一种RFID防伪芯片，包括处理单元、存储单元、RFID无线发射单元，其特征在于，还包括一个静电击穿单元，所述静电击穿单元包括静电击穿器件和与静电击穿器件连接的检测模块，检测模块与处理器单元连接。

所述静电击穿器件为MOS管，击穿部位为栅—源击穿。

本发明的有益效果是，使芯片能通过静电击穿改变内部状态但又不至于损坏。在发生静电击穿后，即确保芯片无法被回收利用，又能确保原来的追溯信息能被正确读取。本发明简单易行，成本低廉，不破坏RFID芯片本身，即发生静电击穿后芯片的基本功能不变，只是内部状态改变。

附图说明

图1是本发明的结构示意图。

具体实施方式

参见图1。

本发明提供的RFID防伪方法包括下述步骤：

检测静电击穿器件是否被击穿，然后将检测结果封装到RFID信号中，作为RFID发射信号内容的一部分，此时RFID发射信号中包含检测结果和来自存储单元的预存信息。

本发明还提供一种RFID防伪芯片，包括处理单元、存储单元、RFID无线发射单元，其特征在于，还包括一个静电击穿单元，所述静电击穿单元包括静电击穿器件和与静电击穿器件连接的检测模块，检测模块与处理器单元连接。