[发明专利]RFID防伪方法及芯片有效

专利信息
申请号: 201410607266.2 申请日: 2014-10-31
公开(公告)号: CN104463266B 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 邸鹏;杨叶飞 申请(专利权)人: 江苏凯路威电子科技有限公司
主分类号: G06K17/00 分类号: G06K17/00;G06Q30/00
代理公司: 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人: 刘勋
地址: 214434 江苏省无锡市江阴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 静电击穿 芯片 发射信号 检测结果 防伪 读取 存储单元 回收利用 内部状态 预存信息 信息能 击穿 封装 追溯 检测
【权利要求书】:

1.RFID防伪方法,其特征在于,包括下述步骤:

在RFID芯片内增加一个静电击穿单元,所述静电击穿单元通过内部连线与芯片内数字电路相连,因此数字电路可以识别出静电击穿器件的状态变化;当外界施加瞬时静电高压,静电击穿单元内特定电路发生可控的电击穿,状态发生物理性改变;

检测静电击穿器件是否被击穿,然后将检测结果封装到RFID信号中,作为RFID发射信号内容的一部分,此时RFID发射信号中包含检测结果和来自存储单元的预存信息。

2.如权利要求1所述的RFID防伪方法,其特征在于,所述静电击穿器件为反熔丝器件。

3.如权利要求1所述的RFID防伪方法,其特征在于,所述静电击穿器件为MOS管。

4.RFID防伪芯片,包括处理单元、存储单元、RFID无线发射单元,其特征在于,还包括一个静电击穿单元,所述静电击穿单元通过内部连线与芯片内数字电路相连,当外界施加瞬时静电高压,静电击穿单元内特定电路发生可控的电击穿,状态发生物理性改变;

所述静电击穿单元包括静电击穿器件和与静电击穿器件连接的检测模块,检测模块与处理器单元连接。

5.如权利要求4所述的RFID防伪芯片,其特征在于,所述静电击穿器件为MOS管,击穿部位为栅—源击穿。

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