[发明专利]无封装LED闪灯、其驱动芯片及制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造工艺技术领域，尤其涉及一种无封装 LED闪灯驱动芯片、无封装LED闪灯驱动芯片的制作方法和无封装LED 闪灯。

背景技术

目前，有一类发光二极管(LightingEmittingDiode，简称LED) 闪灯产品是将几个LED灯和驱动芯片共同封装在透明的环氧树脂内， 此类产品的驱动芯片外没有不透明树脂封装。

此类产品的驱动芯片的制作方法，如图1所示，现有技术的无封 装LED闪灯的驱动芯片的制作方法，包括：P型阱制作；N型金属氧 化物半导体(NegativechannelMetalOxideSemiconductor，NMOS)源 漏制作；P型金属氧化物半导体(positivechannelMetalOxide Semiconductor，PMOS)源漏制作；引线孔制作；金属引线制作；护 层制作。如图2所示，现有技术中图1所示制作方法中驱动芯片的护 层制作的步骤，包括：护层沉积；护层光刻；护层刻蚀。

此类LED闪灯产品在光照的环境下驱动芯片的漏电流会增大，导 致部分驱动芯出现功能异常，由于漏电流增大，表现为LED灯出现关 不断的常亮现象。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种无封装LED闪灯驱动芯 片、无封装LED闪灯驱动芯片的制作方法和无封装LED闪灯，既能 够不影响终端产品的外观及亮度，又能够有效的解决由于光照导致的 驱动芯片漏电流增大的问题。

第一方面，本发明提供一种无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方 法，包括：

提供依次形成有P型阱、N型金属氧化物半导体NMOS源漏、P 型金属氧化物半导体PMOS源漏、引线孔，金属引线的衬底；

在所述衬底上形成包括遮光金属层的护层。

可选地，所述在所述衬底上形成包括遮光金属层的护层的步骤， 包括：

在所述衬底上形成护层薄膜；

在所述护层薄膜上形成包括开口区的遮光金属层；

在所述开口区的护层薄膜上涂第一光刻胶并使用护层掩模板对所 述第一光刻胶进行曝光和显影，形成第一光刻胶完全去除区域；

刻蚀掉所述第一光刻胶完全去除区域的护层薄膜。

可选地，所述在所述护层薄膜上形成包括开口区的遮光金属层的 步骤，包括：

在所述护层薄膜上形成遮光金属层薄膜；

在所述遮光金属层薄膜上涂第二光刻胶并使用遮光金属层掩模板 对所述第二光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶完全保留区域和 第二光刻胶完全去除区域；

刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜，剥离光刻胶， 形成包括开口区的遮光金属层。

可选地，在所述遮光金属层薄膜上涂第二光刻胶并使用遮光金属 层掩模板对所述第二光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶完全保 留区域和第二光刻胶完全去除区域的步骤中，所述遮光金属层掩模板 曝光的图形在压焊点位置，所述遮光金属层与压焊点的间距大于 50um。

可选地，所述刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜 的步骤，包括：

使用等离子干法蚀刻工艺刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的 金属层薄膜。

可选地，所述刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜 的步骤，包括：

使用湿法蚀刻工艺刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层 薄膜。

可选地，所述遮光金属层的材料为铝。

第二方面，本发明提供一种无封装LED闪灯的驱动芯片，包括： P型阱、NMOS源漏、PMOS源漏、引线孔，金属引线和护层，所述 护层包括遮光金属层。

可选地，所述遮光金属层的材料为铝。

第三方面，本发明提供一种无封装LED闪灯，包括：驱动芯片， 所述驱动芯片为权利要求8或9所述的驱动芯片。

由上述技术方案可知，在本发明的无封装LED闪灯驱动芯片、无 封装LED闪灯驱动芯片的制作方法和无封装LED闪灯中，通过在驱 动芯片制作的过程中，在驱动芯片护层上再增加一层遮光金属层，由 于金属的反光作用，所以在加入遮光金属层之后，既能够不影响终端 产品的外观及亮度，又能够有效的解决由于光照导致的驱动芯片漏电 流增大的问题。

附图说明