[发明专利]无封装LED闪灯、其驱动芯片及制作方法

权利要求书

1.一种无封装LED闪灯的驱动芯片的制作方法，其特征在于， 包括：

提供依次形成有P型阱、N型金属氧化物半导体NMOS源漏、P 型金属氧化物半导体PMOS源漏、引线孔，金属引线的衬底；

在所述衬底上形成包括遮光金属层的护层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上 形成包括遮光金属层的护层的步骤，包括：

在所述衬底上形成护层薄膜；

在所述护层薄膜上形成包括开口区的遮光金属层；

在所述开口区的护层薄膜上涂第一光刻胶并使用护层掩模板对所 述第一光刻胶进行曝光和显影，形成第一光刻胶完全去除区域；

刻蚀掉所述第一光刻胶完全去除区域的护层薄膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述护层薄 膜上形成包括开口区的遮光金属层的步骤，包括：

在所述护层薄膜上形成遮光金属层薄膜；

在所述遮光金属层薄膜上涂第二光刻胶并使用遮光金属层掩模板 对所述第二光刻胶进行曝光和显影，形成第二光刻胶完全保留区域和 第二光刻胶完全去除区域；

刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜，剥离光刻胶， 形成包括开口区的遮光金属层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述遮光金属层 薄膜上涂第二光刻胶并使用遮光金属层掩模板对所述第二光刻胶进行 曝光和显影，形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区 域的步骤中，所述遮光金属层掩模板曝光的图形在压焊点位置，所述 遮光金属层与压焊点的间距大于50um。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀掉所述第 二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜的步骤，包括：

使用等离子干法蚀刻工艺刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的 金属层薄膜。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀掉所述第 二光刻胶完全去除区域的金属层薄膜的步骤，包括：

使用湿法蚀刻工艺刻蚀掉所述第二光刻胶完全去除区域的金属层 薄膜。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述 遮光金属层的材料为铝。

8.一种无封装LED闪灯的驱动芯片,包括：P型阱、NMOS源漏、 PMOS源漏、引线孔，金属引线和护层，其特征在于，所述护层包括 遮光金属层。

9.根据权利要求8所述的驱动芯片，其特征在于，所述遮光金属 层的材料为铝。

10.一种无封装LED闪灯，包括：驱动芯片，其特征在于，所 述驱动芯片为权利要求8或9所述的驱动芯片。