[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次沉积第一栅极介电层和第一栅极材料层；

实施离子注入并退火，以在所述第一栅极材料层的上部形成掺杂离子层；

在所述第一栅极材料层上沉积第二栅极材料层，并在所述半导体衬底中形成隔离结构；

在所述第二栅极材料层的靠近所述隔离结构的部分上形成牺牲侧墙，所述牺牲侧墙之间的开口构成后续形成的凹槽的顶部开口图案；

形成用于填充第三栅极材料层的侧壁呈阶梯状的凹槽，露出所述第一栅极材料层；形成所述凹槽的工艺步骤包括：以所述牺牲侧墙为掩膜，依次蚀刻所述第二栅极材料层和所述掺杂离子层，形成所述凹槽；通过蚀刻去除所述掩膜侧墙；

依次形成第二栅极介电层和第三栅极材料层，以填充所述凹槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入的离子为锗离子。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述隔离结构的工艺步骤包括：在所述第二栅极材料层上形成具有所述隔离结构的图案的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，依次蚀刻所述第二栅极材料层、所述掺杂离子层、所述第一栅极材料层、所述第一栅极介电层和所述半导体衬底，形成用于填充构成所述隔离结构的材料的沟槽；沉积构成所述隔离结构的材料于所述沟槽中，并实施化学机械研磨，直至露出所述掩膜层的顶部；去除所述掩膜层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述牺牲侧墙的工艺步骤包括：沉积牺牲层，覆盖所述第二栅极材料层和所述隔离结构；蚀刻所述牺牲层，露出所述隔离结构的同时形成所述牺牲侧墙。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第二栅极材料层的蚀刻为干法蚀刻，对所述掺杂离子层的蚀刻为湿法蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅极材料层和所述第二栅极材料层构成浮栅，所述第三栅极材料层构成控制栅。

7.一种采用权利要求1-6之一所述的方法制造的半导体器件。

8.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求7所述的半导体器件。