[发明专利]一种半导体器件解封方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体属于一种半导体器件解封方法。

背景技术

半导体器件邦定是在半导体生产工艺中的一种打线方式，一般是在半导体 封装前将芯片内部电路使用金线与金属管脚进行连接，然后再使用塑封材料对 其进行封装。由于成本的原因，越来越多的企业将封装时的邦定线由金线改为 铜线或是铝线，来降低半导体器件的生产成本。

在对半导体器件进行失效分析或者是反向工程时，需要对半导体器件进行 解封，即去掉半导体器件的塑封材料。目前，对半导体器件进行解封有专门的 配套设备可以实现，由于设备材料使用的都是耐酸材料，设备价格都极其昂贵， 只要对设备添加酸液就可以自动对半导体器件进行解封，但是通过该设备进行 对半导体器件进行解封后无法得到完整的邦定线。而通过传统的化学方法对半 导体器件进行解封，很容易对半导体器件的邦定线进行腐蚀，同样无法得到完 整的邦定线。

发明内容

本发明提供一种半导体器件解封方法，用以解决现有技术中存在的在半导 体器件进行解封时无法得到完整的邦定线的问题。

本发明提供一种半导体器件解封方法，该方法包括：

配制酸液，并加热所述酸液；其中，所述酸液中至少包括发烟硝酸和浓硫 酸；

将带塑封材料的半导体器件浸入所述加热的酸液中以对所述塑封材料进行 溶解。

优选地，所述酸液的配制比例为：发烟硝酸与浓硫酸的比例范围为1:1～3:1。

优选地，所述半导体器件的邦定线的线径在0.8mil以上的所述酸液的配制 比例为：发烟硝酸与浓硫酸的比例为2:1。

优选地，所述半导体器件的邦定线的线径在0.8mil以下的所述酸液的配制 比例为：发烟硝酸与浓硫酸的比例为1.5:1。

优选地，所述加热的温度为100-200℃。

优选地，所述加热的温度为150℃。

优选地，所述加热的时间为15-20分钟。

优选地，所述方法还包括：固定所述半导体器件的金属管脚。

优选地，所述固定所述半导体器件的金属管脚，具体为通过焊锡焊接固定。

优选地，所述浓硫酸为98％浓硫酸。

本发明有益效果如下：通过焊锡焊接固定半导体器件的金属管脚，使用加 热的按照一定比例配制的酸液，对半导体器件进行解封，去掉半导体器件的塑 封材料，完成半导体器件的解封。通过本发明提供的方法，可以得到完整的半 导体器件的邦定线，且操作简单，成本低廉，成功率高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所 需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的 一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提 下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中半导体器件解封方法的流程图；

图2为本发明实施例中半导体器件结构示意图；

图3为本发明实施例中半导体器件解封过程示意图；

图4为本发明实施例中半导体器件解封后的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发 明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例， 而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做 出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示的流程图，本发明实施例提供了一种半导体器件1解封方法， 该方法步骤为：

步骤101：配制酸液，并加热所述酸液；其中，所述酸液中至少包括发烟硝 酸和浓硫酸；

步骤102：将带塑封材料2的半导体器件1浸入所述加热的酸液中以对所述 塑封材料2进行溶解。

所述酸液包括发烟硝酸和浓硫酸，把发烟硝酸和浓硫酸按照一定的比例进 行配制，并且将配制好的酸液进行加热，加热到一定温度后，将带有塑封材料2 的半导体器件1浸入到加热的酸液中，一直到半导体器件1上的塑封材料2全 部溶解。通过发烟硝酸和浓硫酸的混合配制的酸液可以有效的溶解半导体器件1 上的塑封材料2，并能保持半导体器件1的邦定线7的完整。