[发明专利]一种半导体器件解封方法在审
| 申请号： | 201410550485.1 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105575764A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张浩;曹婷 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 解封 方法 | ||
1.一种半导体器件解封方法，其特征在于，该方法包括：
配制酸液，并加热所述酸液；其中，所述酸液中至少包括发烟硝酸和浓硫 酸；
将带塑封材料的半导体器件浸入所述加热的酸液中以对所述塑封材料进行 溶解。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸液中包括发烟硝酸和浓 硫酸，发烟硝酸与浓硫酸的比例范围为1:1～3:1。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体器件的邦定线的线 径在0.8mil以上时，所述酸液的配制比例为：
发烟硝酸与浓硫酸的比例为2:1。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体器件的邦定线的线 径在0.8mil以下时，所述酸液的配制比例为：
发烟硝酸与浓硫酸的比例为1.5:1。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热的温度为100-200℃。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述加热的温度为150℃。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热的时间为15-20分钟。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：固定所述半 导体器件的金属管脚。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述固定所述半导体器件的金 属管脚，具体为通过焊锡焊接固定。
10.如权利要求1-9任一所述的方法，其特征在于，所述浓硫酸为98％浓硫 酸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
