[发明专利]电容的调节方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种电容的调节方法。

背景技术

随着半导体技术的快速发展，器件的尺寸越来越小，这就使得在MOS管中，沟道(channel)的长度变短。在这种MOS管中，随着源漏电压的不断增加，会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通(punch through)。

同时，因为高频器件的广泛应用，当前市场对低电容器件需求与日俱增。为了达到这样的目的，许多工艺手段被引入到半导体制造中以降低电容。

在不改变器件结构的情况下，即保持沟道的长度不变，避免源/漏区之间发生穿通效应，同时又能够达到降低电容的目的，业内采取了多种手段。其中，利用电子辐照就是一种有效的方法。但是由于电子速能量很大，波动较大，有时电容会降低到控制线以下，稳定性和一致性较差，从而造成良率损失。

因此，需要对现有技术进行改善，以减少或者避免出现电容过低的问题

发明内容

本发明的目的在于，提供一种电容的调节方法，改善现有技术中电容稳定性和一致性较差的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种电容的调节方法，包括：

提供前端结构，所述前端结构经过电子辐照处理；

检测所述前端结构的电容值，筛选出电容值低于目标值的前端结构；

对筛选出的前端结构进行热处理。

可选的，对于所述的电容的调节方法，所述热处理为在温度范围是280℃～320℃的氛围中，持续加热60～70分钟。

可选的，对于所述的电容的调节方法，采用炉管工艺进行所述热处理。

可选的，对于所述的电容的调节方法，采用烘箱烘烤进行所述热处理。

可选的，对于所述的电容的调节方法，还包括：检测经热处理后的前端结构的电容值，若检测所述前端结构的电容值低于目标值，则继续对所述前端结构进行热处理，并再次检测所述前端结构的电容值。

可选的，对于所述的电容的调节方法，若检测所述前端结构的电容值与目标值相差小于设定值，则在相同的条件下继续对所述前端结构进行热处理。

可选的，对于所述的电容的调节方法，若检测所述前端结构的电容值与目标值相差大于等于设定值，则继续对所述前端结构进行热处理的温度高于之前进行的热处理的温度。

可选的，对于所述的电容的调节方法，根据设定的规格，若在规定次数的热处理后，所述前端结构的电容值仍不合格，判定所述前端结构失效。

与现有技术相比，本发明提供的电容的调节方法中，提供前端结构，所述前端结构经过电子辐照处理；筛选出电容值低于目标值的前端结构，然后对筛选出的前端结构进行至少一次热处理。相比现有技术，本发明通过热处理，能够使得电容值控制在所需要的范围内，并且波动较小，提高了电容的一致性。此外，本发明的方法成本低廉，效果显著。

附图说明

图1为本发明实施例中电容的调节方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的电容的调节方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想是，对于经过电子辐照处理后的前端结构，通过热处理，使得电容保持在所需要的范围内。从而以较低的成本达到使得电容保证稳定性和一致性的效果。

以下列举所述电容的调节方法的较优实施例，以清楚说明本发明的内容，应当明确的是，本发明的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本发明的思想范围之内。